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产品详情

THz晶体MolTech(THz crystals)

产品简介：

德国Moltech公司位于柏林，专注于激光材料，激光介质，激光晶体，太赫兹晶体，法拉第隔离器的研发制作。Moltech公司的THz晶体广泛为中国的客户使用和好评。

第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均为宽带半导体。其中ZnTe,ZnS可利用全固态可调谐双波长光源在非线性晶体中二阶光学混频方法产生太赫兹光。CdxZn1- xTe(CZT/碲锌镉)半导体单晶是发展远红外,可见光,X-射线探测器,γ射线探测器的重要材料。CZT射线探测器具有吸收系数大，结构紧凑，室温操 作等优点。而现在工业和医疗方面产用的高纯Ge和Si的探测器，只能工作在液氮温度下。CZT已经成为硬X射线和γ射线的一种关键技术。天文学方面用 CZT阵列去研究宇宙中的高能γ射线源。

一、ZnGeP2晶体：

特点和应用：

ZnGeP2(磷镓银)单晶有着zui大的光学非线性系数和高的激光损伤阈值，是用于中红外和太赫兹波段非常高效的非线性光学材料。ZGP晶体具有正双折射效应，因此它可以用于0.75-12μm波长范围的相位匹配频率转换。可以将1.06mm光与CO2激光混合，实现到近红外波段的上转换。  

典型参数：


透过范围(μm)

0.75 – 12.0

 

点群

42m

 

密度(g/cm3)

4.12

 

摩氏硬度

5.5

 

反射系数

　

 

2.00 μm

no = 3.1490; ne    = 3.1889

 

4.00 μm

no = 3.1223; ne    = 3.1608

 

6.00 μm

no = 3.1101; ne    = 3.1480

 

8.00 μm

no = 3.0961; ne    = 3.1350

 

10.00 μm

no = 3.0788; ne    = 3.1183

 

12.00 μm

no = 3.0552; ne    = 3.0949

 

非线性系数(pm/V)

d36 =    68.9(10.6μm处),d36 = 75.0(9.6μm处)

 

损伤阈值(MW/cm2)

60    (10.6μm,150ns)


二、GaSe晶体

特点和应用：

GaSe（硒化镓）具有非线性系数大，损伤阈值高和透过范围宽三重优势，是一种非常适合作中红外光二次谐波的非线性光学单晶。
GaSe可以用于CO2激光器的倍频，上转换CO和CO2激光射线到可见范围。
GaSe还可以用于太赫兹射线的产生。

典型参数：


透过范围(μm)

0.62 – 20

点群

6m2

密度(g/cm3)

5.03

晶格参数

a = 3.74, c =    15.89 ?

摩氏硬度

2

反射系数

　

5.3 μm 处

no= 2.7233, ne=    2.3966

10.6 μm 处

no= 2.6975, ne=    2.3745

非线性系数(pm/V)

d22 = 54

离散角

4.1°(5.3 μm)

损伤阈值(MW/cm2)

28 (9.3 μm, 150    ns); 0.5 (10.6 μm, in CW mode); 30 (1.064 μm, 10 ns)


三、AgGaS2 (  AGS)晶体

特点和应用：

AGS (硫镓银) 对于红外射线来讲,是一种非常高效的倍频晶体,尤其是10.6μm的CO2激光器, 虽然其非线性系数很低,但是它在550nm附近非常高的短波透过率在YAG泵浦的OPO有广泛应用,还可应用于中红外波段的混频系统波长范围从4.0到18.3 μm, 通过差频实现红外波段光输出。

典型参数：


透过范围(μm)

0.47 - 13

点群

4m2

密度(g/cm3)

5.03

晶格参数

a = 5.757, c =    10.311 ?

摩氏硬度

3.0 - 3.5

反射系数

　

5.3 μm

no = 2.4521; ne    = 2.3990

3.0 μm

no = 2.4080; ne    = 2.3545

5.3 μm

no = 2.3945; ne    = 2.3408

10.6 μm

no = 2.3472; ne    = 2.2934

12 μm

no = 2.3266; ne    = 2.2716

10.6 μm 处

no= 2.6975, ne=    2.3745

非线性系数(pm/V)

d36 = 12.5

离散角

0.76° at    5.3 μm


四、KTiOPO4(KTP)晶体

KTP（磷酸钛氧钾）是一种优质的非线性晶体，它光学质量高，透过范围宽，二次谐波转换效率是KDP的三倍以上，损伤阈值高，离散角小。KTP是倍频Nd：YAG激光器及其它掺钕激光器zui合适也是应用zui广泛的晶体。

产品应用：

1、1.064μm光的二倍频发生器
2、近红外波段的光参振荡器
3、近红外波段的差频发生器

五、THz晶体-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn

产品介绍：

其中GaP(磷化镓)有一个能发出可见光的能代间隙,只不过它是间接能带半导体。当它同GaAs结合形成GaAs1-xPx合金时,就便成了既直接又具有发光能带间隙的物质了。GaP还可用于制作发光二极管，它能够发出绿光。
InP(磷化铟)主要应用于光纤通讯设备,尤其是半绝缘的InP晶片很可能成为光电二极管的主流产品,应用于高速通讯设备，其传输速度能达到40Gbps。InP还有望用于对传输速度要求更高的下一代移动电话中。

典型参数：


材料

InP

InSb

InP: Fe

InP:Zn

GaP

GaAs:Te

GaAs:Zn

GaAs 多晶

阻抗, om.cm

0.03 - 0.2

-

1x106 - 2x107

-

-

-

-

-

直径

-

-

1,011 - 1,2511

1,011 - 1,2511

-

12,511

1,511

-

轴向

(100), (111)

(100), (111)

(100), (111)

(100), (111)

(100), (111)

-100

-

-

载流子浓度, cm-3

(0.8 - 2.0) x 1015

(8 - 30) x 1013

-

(0.2 - 1.0) x 1018

(4 - 6) x 1016

2 x 1017

1.0 x 1019

2 x 1015

灵敏度, cm2/V.Sec

3500 - 4000

-

-

50 -70

-

4500

-

5200

生长技术

-

可参杂

-

-

可参杂

-

Cz

Bridjman


六、THz晶体-ZnTe/ZnS/ZnSe/CdxZn1-xTe/CdS/CdSe/CdTe/CdSSe/ZnCdS

产品介绍：

第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均为宽带半导体。其中ZnTe,ZnS可利用全固态可调谐双波长光源在非线性晶体中二阶光学混频方法产生太赫兹光。CdxZn1-xTe(CZT/碲锌镉)半导体单晶是发展远红外,可见光,X-射线探测器,γ射线探测器的重要材料。CZT射线探测器具有吸收系数大，结构紧凑，室温操作等优点。而现在工业和医疗方面产用的高纯Ge和Si的探测器，只能工作在液氮温度下。CZT已经成为硬X射线和γ射线的一种关键技术。天文学方面用CZT阵列去研究宇宙中的高能γ射线源。

典型参数：

材料

ZnS

CdS

ZnSe

ZnSe

ZnxCd1-xS

CdS

CdSe

CdSxSe1-x

CdTe

CdTe

CdZnTe

ZnTe

生成方法

垂直布里奇曼生长法

PVT

melt

PVT

晶种气相法

直径，mm

40

50

80

50

40

厚度，mm

30

10

15

40

30

30

10

30

10

15

光学吸收at 10,6
nm, cm-1

< 0.15

< 0.007

<0.0015

<0.005

-

0.01

5-10
x10-4

< 0.01

-

阻抗, Ohm x cm

-

105

5-50x109

> 105

1x106

发光强度比，IEx/Iedge
(Iimp)

-

> 10

-

位错密度, cm-2

-

< 2 x105

< 5 x105

2 x105

< 2 x105

< 2 x104

5 x104

-

1x 104

-

小角边界密度, cm-1

-

< 40

< 40

70

70

< 20

10

-

3

< 10

发光光谱的激发带波长, nm

-

490 ± 2

690 ± 2

444
± 2

475 ± 5

490
± 2

690
± 2

510 ± 5,
535 ± 10,
560 ± 10,
600 ± 5,
615
+5/-15,
505 ± 5,
625 ± 5

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

七、碲化锌晶体（ZnTe）

产品介绍：

尺寸： 5 x 5 x 0.1 mm-20 x 20  x 10 mm各个尺寸
晶向：110
表面处理： 抛光、镀膜、非镀膜

产品应用：

THz探测、THz产生

主要型号及尺寸列表:


<110>Orientation SIZE

5 x 5 x 0.2 mm

10 x 10  x 0.2 mm

15 x 15 x 1 mm

20 x 20 x 0.5 mm

5 x 5 x 0.5 mm

10 x 10  x 0.5 mm

15 x 15 x 2 mm

20 x 20 x 0.8 mm

5 x 5 x 1mm

10 x 10 x 1 mm

15 x 15 x 3 mm

20 x 20 x 1 mm

5 x 5 x 2 mm

10 x 10 x 1.5 mm

15 x 15 x 4 mm

20 x 20 x 2 mm

5 x 5 x 3 mm

10 x 10 x 2 mm

15 x 15 x 5 mm

　

5 x 5 x 4 mm

10 x 10 x 3 mm

　

　

5 x 5 x 5 mm

10 x 10 x 4 mm

　

　

　

10 x 10 x 5 mm

　

　

CHIPS - Are normally based upon ZnTe <100> Substrate @ 0.5 - 1 mm thickness onto which is optically glued ZnTe <110> top wafer.

<110> Front Face SIZE RANGE

<110> 300 - 500 um

<110> 100 - 200 um

<110> 40 - 90 um

<110> 20 um

5 x 5 mm

5 x 5 mm

5 x 5 mm

5 x 5 mm

10 x 10 mm

10 x 10 mm

10 x 10 mm

10 x 10 mm

<110> 10 um

　

　

　

5 x 5 mm

10 x 10 mm

Plano – Wedged SIZE RANGE

<110> 20 - 40 um wedge

<110> 20    - 40 um wedge

<110> 20 - 40 um wedge

<110> 20 - 40 um wedge

with 0.5 - 1.0 mm <100> substrate

with 2mm <100> substrate

with 4mm <100>
substrate

with 6mm <100> substrate

5 x 5 mm

5 x 5 mm

5 x 5 mm

5 x 5 mm

10 x 10 mm

　

　

　

 

 

 

 

 

 

 


注: 还有多种型号可选,也可以为您量身定做,详细的技术指标请向我公司咨询.