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PIN-FET光纤耦合探测器组件-DIL封装
------MPGD45211Z型差分输出PIN模块
主要特点:
■ 跨阻可选
■ 高灵敏度
■ 质量等级:M1
■ 标准号:Q/UH149-2008
zui大额定值:
参数 |
符号 |
zui大额定值 |
单位 |
正电源 |
Vcc |
+5.5 |
V |
负电源 |
Vss |
-5.5 |
V |
工作温度范围 |
Tamb |
-45-+70 |
℃ |
存储温度范围 |
Tstg |
-55-+85 |
℃ |
参数 |
符号 |
zui大额定值 |
单位 |
正电源 |
Vcc |
+5 |
V |
负电源 |
Vss |
-5 |
V |
参数名称 |
噪声电压 |
电压响应度 |
带宽 |
灵敏度 |
增益一致性 |
符号 |
Vn |
Re |
Bw |
Sr |
|
测试条件 (Vss=-5V Vcc=5V -45℃~70℃) |
RL=1MOhm |
λ=850/1310 /1550nm a f=DC φe= (-30±0.2)dBm |
λ=850/1310 /1550nm a RL=1MOhm φe=(-30±0.2)dBm b Φe=(-40±0.2)dBmc |
λ=850/ 1310/ 1550nm a RL=1MOhm f=10kHz |
λ=850/1310/ 1550nm a RL=1MOhm φe= (-30±0.2)dBm b φe= (-40±0.2)dBm c |
-1AS |
≤20 |
≥0.025*106 |
≥15 |
≤-39.5 |
≥98% |
-1AL |
≥0.043×106 |
≤-42 |
|||
-2AS |
≥0.05×106 |
≥8 |
≤-40.5 |
||
-2AL |
≥0.085×106 |
≤-43 |
|||
-3AS |
≥0.075×106 |
≥5 |
≤-42.5 |
||
-3AL |
≥0.13×106 |
≤-45 |
|||
-4AS |
≥0.1×106 |
≥4 |
≤-43.5 |
||
-4AL |
≥0.17×106 |
≤-46 |
|||
-5AS |
≥0.13×106 |
≥3 |
≤-44.5 |
||
-5AL |
≥0.22×106 |
≤-47 |
|||
-6AS |
≥0.15×106 |
≥2 |
≤-45.5 |
||
-6AL① |
≥0.26×106 |
≤-48 |
|||
-8AS |
≥0.2×106 |
≥1 |
≤-47.5 |
||
-8AL② |
≥0.34×106 |
≤-50 |
|||
-1MAS③ |
≥0.25×106 |
≥1 |
≤-48.5 |
||
-1MAL④ |
≥0.43×106 |
≤-51 |
|||
-3BS |
≥0.075×106 |
≥30 |
≤-42.5 |
||
-3BL |
≥0.13×106 |
≤-45 |
|||
-4BS |
≥0.1×106 |
≥20 |
≤-43.5 |
||
-4BL |
≥0.17×106 |
≤-46 |
|||
-6BS |
≥0.15×106 |
≥14 |
≤-45.5 |
||
-6BL⑤ |
≥0.26×106 |
≤-48 |
|||
-8BS |
≥0.2×106 |
≥8 |
≤-47.5 |
||
-8BL |
≥0.34×106 |
≤-50 |
|||
-1MBS |
≥0.25×106 |
≥5 |
≤-48.5 |
||
-1MBL |
≥0.43×106 |
≤-51 |
|||
单位 |
mV |
V/W |
MHz |
dBm |
% |
注: a.波长根据用户要求任选一种 b.仅限①②③④⑤⑥⑦⑧八种产品 c.其余系列产品 |
管脚 |
符号 |
功能 |
1 |
Vss1 |
探测器偏置电源 |
2 |
GND |
地 |
3 |
Vcc |
正电压 |
4 |
VREF |
零位电压调节 |
5 |
VOC |
共模电压调节 |
6 |
Vout+ |
信号正 |
7 |
Vout- |
信号负 |
8 |
Vss2 |
负电源 |
符号 |
A |
B |
C |
D |
E |
F |
G |
H |
I |
zui小值 |
13.35 |
7.44 |
12.55 |
4.5 |
|
0.4 |
11 |
4.65 |
根据用户要求 |
标称值 |
|
|
|
|
2.54 |
|
|
|
|
zui大值 |
13.65 |
7.77 |
12.85 |
6.5 |
|
0.6 |
13 |
5.10 |
|
I 为光纤长度,单位为毫米 |
1、电源电压、偏置电压不能超过额定值 、偏置电压不能超过额定值;
产品应用:
■ 光纤传感器
■ 光纤相干层析成像系统