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产品详情

MPGD5210Y-2型硅雪崩光电二极管

产品特性：
■ 正照平面型芯片结构
■ 响应频率高、增益高
■ 激光测距、激光告警和激光雷达等应用
zui大额定值：

工作电压

0.95×VBR

工作温度

-50～85℃

耗散功率

1mW

正向电流

1mA

贮存温度

-55～100℃

焊接温度（时间）

260℃（10s）
光电性能（@Tc=22±3℃）

特性参数

符号

测试条件

zui小

典型

zui大

单位

光谱响应范围

λ

—

400～1100

nm

光敏面直径

φ

—

500

μm

响应度

Re

λ=850nm,φe=1μw, M=100

50

55

 

A/W

响应时间

tS

f=1MHz,RL=50Ω,λ=850nm

 

0.6

1.5

ns

暗电流

 

ID

M=100

0.2

0.5

3

nA

总电容

Ctot

M=100,f=1MHz

 

1.2

 

pF

zui适宜的放大倍数

M

 

 

60-80

 

 

反向击穿电压

VBR

IR=10uA

100

 

220

V

工作电压温度系数

δ

Tc=-40℃～85℃

 

0.8

 

V/℃
等效电路及应用电路 ：
 图1 等效电路图                                                   图2 使用示意图


注：C1－滤波电容，主要滤除偏置工作电压VR的噪声；

    C2－旁路电容，主要是为交流信号提供对地回路；
    R1－限流电阻，主要保护偏置工作电压VR过高时，损坏探测器；
    Ri－取样电阻，将光电流转化为电压信号。

典型特性曲线：
封装外形、尺寸及引脚定义：
注意事项：
■ 该器件需要温度反馈工作电压控制
■ 贮运、使用注意静电保护措施
■ 光纤弯曲半径不小于20mm
■ 使用前保证光纤连接处洁净