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LD-PD 垂直腔面发射激光器
垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，简称VCSEL）是一种半导体，其激光垂直于顶面射出，与一般用切开的独立芯片制程，激光由边缘射出的边射型激光有所不同。波长从650nm到1300nm的典型VCSEL是以砷化镓( GaAs )和铝镓砷化物] （AlxGa(1-x)As）构成的DBR所组成的镓砷芯片为基底。GaAs/AlGaAs系统由于材料的晶格常数在组成有变动时，不会有非常强烈的改变，且允许多个晶格配对复生层成长于砷化镓的底层，所以非常适合用来制造VCSEL。然而，当Al分子增加时，铝镓砷化物的折射率就会变强，与其他系统比较起来，要组成一个有效的布拉格镜，所用的层数就会达到zui少。在一般的VCSEL中，较高和较低的两个透镜分别镀上了p型材料和n型材料，形成一个接面二极管。在较为复杂的结构中，p型和n型区域可能会埋在透镜中，使较复杂的半导体在反应区上加工做电路的连接，并除去在DBR结构中电子能量的耗损。VCSEL比边射型激光多了许多优点,VCSEL可以在制造的任何过程中，测试其品质并且作问题处理，因为VCSEL的激光是垂直于反应区射出，与边射型激光平行于反应区射出相反，所以可以同时有数万个VCSEL在一个三英寸大的砷镓芯片上被处理。
|
型号 |
激光器类型 |
功率 |
波长（nm） |
线宽 |
尾纤类型 |
封装 |
接口形式 |
|
FP |
20
mW |
520nm |
0.8nm |
Nufern
HP460 |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
30
mW |
633nm |
0.8
nm |
SMF-28E |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
20
mW |
655nm |
0.8
nm |
SM600 |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
20
mW |
795nm |
0.8
nm |
HI780 |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
70
mW |
830nm |
0.5
nm |
HI780 |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
30
mW |
840nm |
0.5
nm |
HI780 |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
40mW |
850nm |
0.5
nm |
HI780 |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
100mW |
910nm |
0.8
nm |
HI1060 |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
100mW |
940nm |
0.8
nm |
HI1060 |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
800mW |
974nm |
0.8
nm |
HI1060 |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
600mW |
976nm |
0.8
nm |
HI1060 |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
50
mW |
1050nm |
1.5
nm |
HI1060 |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
70
mW |
1064nm |
3
MHz |
HI1060 |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
30
mW |
1310nm |
0.5
nm |
SMF-28E |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
30
mW |
1335nm |
0.5
nm |
SMF-28E |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
300mW |
1420nm |
0.8
nm |
SMF-28E |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
300mW |
1450nm |
0.8
nm |
SMF-28E |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
300mW |
1460nm |
0.8
nm |
SMF-28E |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
300mW |
1480nm |
0.8
nm |
SMF-28E |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
100mW |
1550nm |
3
nm |
SMF-28E |
14-pin
BF |
FC/APC |
|
|
FP |
100mW |
1650nm |
3
nm |
SMF-28E |
14-pin
BF |
FC/APC |
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