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产品详情
一维位敏探测器 MPGD3191Z
产品特点:

大光敏面
低暗电流
高响应度
高可靠性

详细参数
技术指标(Ta=23℃)

参数

符号

测试条件

  典型值

单位

光敏面直径

Φ

 

2'20

μm

光参数

光谱响应范围

λ

 

  4001100

nm

响应度

Re

VR=5V,λ=900nm

0.5

A/W

响应时间

tr

VR=5V

120

nS

电参数

暗电流

ID

VR=5V

100

nA

极间阻抗R12

 

 

30

KW

位置分辨率PR

 

 

5

mm

反向击穿电压

VBR

IR=10μA

80

V

电容

Cj

f=1MHz,VR=40V

45

pF

工作电压

VR

 

5

V

管座型号

 

四脚陶瓷封装

饱和光功率lb0.5w/cm2

特性曲线
外型图及使用简图
注意事项:

器件在反向偏置条件下工作。.
使用中防止剧烈震动、冲击,以免光窗损坏。
在贮运、使用过程中必须采取静电防护措施,以免器件失效

产品原理:

器件是一种结构特殊的光电探测器,其原理是利用半导体的“横向效应”,达到器件对光点位置敏感的目的。采用PIN结构,当光束入射到器件的光敏面内时,产生电子-空穴对,达到P层的载流子由X1、X2两电极输出,其输出电流的大小与光入射位置X到X1、X2电极的距离成反比。由此可计算出光的入射位置X,为此准确地测出目标的位置。

产品应用:


位置角度测量
偏转振动位移的测定
光束的测定
机器人一维视觉、平整度测量、医用机械等。

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