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■ 大光敏面
■ 低暗电流
■ 高响应度
■ 高可靠性
参数 |
符号 |
测试条件 |
典型值 |
单位 | |
光敏面直径 |
Φ |
|
2'20 |
μm | |
光参数 |
光谱响应范围 |
λ |
|
400~1100 |
nm |
响应度 |
Re |
VR=5V,λ=900nm |
0.5 |
A/W | |
响应时间 |
tr |
VR=5V |
120 |
nS | |
电参数 |
暗电流 |
ID |
VR=5V |
100 |
nA |
极间阻抗R12 |
|
|
30 |
KW | |
位置分辨率PR |
|
|
5 |
mm | |
反向击穿电压 |
VBR |
IR=10μA |
80 |
V | |
电容 |
Cj |
f=1MHz,VR=40V |
45 |
pF | |
工作电压 |
VR |
|
5 |
V | |
管座型号 |
|
四脚陶瓷封装 | |||
饱和光功率lb0.5w/cm2 |
◆ 器件在反向偏置条件下工作。.
◆ 使用中防止剧烈震动、冲击,以免光窗损坏。
◆ 在贮运、使用过程中必须采取静电防护措施,以免器件失效。
器件是一种结构特殊的光电探测器,其原理是利用半导体的“横向效应”,达到器件对光点位置敏感的目的。采用PIN结构,当光束入射到器件的光敏面内时,产生电子-空穴对,达到P层的载流子由X1、X2两电极输出,其输出电流的大小与光入射位置X到X1、X2电极的距离成反比。由此可计算出光的入射位置X,为此准确地测出目标的位置。
产品应用:
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