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InGaAs PIN 双波段探测器 MPGD7510Y
基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm,φ5000μm等光敏面积直径的系列产品,可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。
■ 快响应时间
■ 低暗电流
■ 宽光谱响应
■ 高可靠性。
参数 |
符号 |
测试条件 |
zui小 |
典型 |
zui大 |
单位 | ||
光敏面 |
InGaAs |
|
800 |
μm | ||||
Si |
|
2000 | ||||||
光参数 |
光谱响应范围 |
λ |
|
400~1700 |
nm | |||
响应度 |
Re |
VR1=15V;λ=0.53μm,Φe=100μW |
0.2 |
|
|
A/W |
| |
VR1=15V;λ=1.06μm,Φe=100μW |
0.3 |
|
|
| ||||
VR=10mV,λ=1.3μm,Φe=100μW |
0.5 |
|
| |||||
VR=10mV,λ=1.55μm,Φe=100μW |
0.6 |
|
|
| ||||
响应时间 |
tr |
VR1=15V;RL1=50Ω |
|
|
10 |
ns | ||
VR2=5V;RL2=50Ω |
|
|
10 | |||||
电参数 |
反向击穿电压 |
VBR |
IR1=10μA |
100 |
|
|
V | |
IR2=10μA |
50 |
|
| |||||
暗电流 |
ID |
VR1=15V |
|
|
40 |
nA | ||
VR2=5V |
|
|
10 | |||||
电隔离度 |
|
50 |
dB |
|
zui大额定值 |
单位 |
|
zui大额定值 |
单位 |
反向电压 |
15 |
V |
功耗 |
10 |
mW |
正向电流 |
10 |
mA |
工作温度 |
-40~120 |
℃ |
焊接条件 |
260℃,10秒 |
存储温度 |
-40~120 |
℃ |
◆ 器件在反偏下工作
◆ 使用中防止剧烈震动、冲击,以免透镜损坏。
◆ 在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。
◆ 在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施,以免器件失效。
■ 多光谱光测量
■ 计量仪表,激光预警
■ 跟踪、定位和准直仪器
■ 火焰监控、分光计等。
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