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InGaAs PIN光电二极管MPGT3552T
基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm,φ5000μm等光敏面积直径的系列产品,可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。
■ 平面正照结构
■ 快响应时间
■ 大光敏面积
■ 高响应度,高可靠性。
参数 |
符号 |
测试条件 |
zui小 |
典型 |
zui大 |
单位 | |||
光敏面直径 |
Φ |
|
800 |
μm | |||||
光参数 |
光谱响应范围 |
λ |
|
900~1700 |
nm | ||||
响应度 |
Re |
VR=5V,λ=1.3μm,Φe=100μW |
|
0.90 |
|
A/W | |||
VR=5V,λ=1.55μm,Φe=100μW |
|
0.95 |
| ||||||
响应线性饱和功率 |
LR |
VR =5V, λ=1.55μm |
10 |
|
|
mW | |||
响应度线性 |
δR |
VR =5V,λ=1.55μm, 1μW~10mW |
|
±0.1 |
|
dB | |||
响应时间 |
tr |
VR=5V,RL=50Ω |
|
|
3.5 |
ns | |||
电参数 |
暗电流 |
ID |
VR=5V |
|
2.0 |
10.0 |
nA | ||
反向击穿电压 |
VBR |
IR=10μA |
|
60 |
|
V | |||
电容 |
C |
f=1MHz,VR=5V |
|
20 |
40 |
PF | |||
分流电阻 |
RS |
VR =10mV |
|
50 |
|
MΩ |
|
zui大额定值 |
单位 |
|
zui大额定值 |
单位 |
工作电压 |
15 |
V |
zui大耗散功率 |
100 |
mW |
正向电流 |
10 |
mA |
工作温度 |
-40~100 |
℃ |
焊接温度 |
260(10秒) |
℃ |
存储温度 |
-45~120 |
℃ |
◆ 器件在零偏下使用。
◆ 使用中防止剧烈震动、冲击,以免透镜损坏。
◆ 在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。
◆ 在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施,以免器件失效。
■ 光功率计量监控等仪器仪表
■ 光谱、光纤特性测试
■ 激光测距、激光雷达等空间通信
■ 其他应用如光纤传感。
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