光电探测器

InGaAS扩展型铟镓砷探测器

光敏面大小

Φ3mm

光学窗口

Plane borosilicate glass

响应波长范围

1000-2300nm

峰值波长

2000nm

相对响应强度

75% @1550nm,100@@2000nm

方向性

±60º

NEP

6*10-15 W/Hz1/2

工作带宽

50MHZ

跨阻增益

50k V/A @ 0dB Gain

500k V/A @20dB Gain

输出电压范围

0~+3V (into Hi-Z)

0~+1.5V (into 50Ω)

输出阻抗

50Ω

输入工作电压

V+: +5 ~ +20V

V- : -5 ~ -20V

工作温度

10~50 ºC

最大压力差

±50kPa