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首页 / 激光测试 / 激光探测器 / MP6514S型InGaAs单光子阵列探测器组件

MP6514S型InGaAs单光子阵列探测器组件

MP6514S型探测器组件由4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器模块与电压逆变模块、制冷模块、信号控制模块组成。在盖革工作模式下,探测器组件各像元独立、自由运行,探测0.95 ~ 1.65 μ m的近红外波段范围内微弱光信号,实时输出TTL电信号。

名称 价格 操作
InGaAs单光子阵列探测器组件 Email us
产品特点

●光谱响应波段0.95 ~ 1.65μm  

●采用金属封装,器件质轻灵巧 

●像元独立、自由运行 

●像元可探测弱光子信号 

●死时间、盖革雪崩信号检测阈值可调 

技术参数

探测器面阵规格


性能描述

器件类型

InGaAs APD

阵列规模

4x4

像元大小

100μm x 100μm

光敏面大小[1]

85μm x 85μm

光窗

石英光窗

感光靶面至光窗外表面间距

4mm (光窗厚度为1mm )

注[1]:单片集成微透镜焦距150μm。


主要性能指标(Tc=22+3℃)

特性参数

参数指标

工作波长[1]

0.95 ~ 1.65μm

探测效率

≥10% ( 1.57   +0.05μm)

暗计数率

≤10KHz

时间抖动

≤500ps

死时间

100 ~ 1000ns可调

有效像元率

100%

注[1]:在工作波长范围内选配标准窄带滤光片。

绝对最大额定值

参数

额定值

单位

工作温度范围Tc

-40~+55

°C

贮存温度范围TSTG

-40~+70

°C

最大功耗P

15

W

输入偏置范围VR

4.95.5

V

静电放电敏感度ESD

1000~2000

V

质量可靠性保证

● 产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求。

封装及尺寸

封装外形结构与尺寸(单位: mm )

zj1.png

zj2.png

电学接口

zj4.png

●电源输入: +5V

●数据输出类型: TTL

●控制命令接口: J63A-31

●电源输入接口类型: J30J

●数据输出接口类型: J63A-31

●外触发接口: SSMA

接口编号

功能

1

SSMA-1:内同步信号输出

2

SSMA-2:外同步信号输入

3

J63A-31:输出信号端口及探测器工作设置输入信号端口

4

J30J: +5V单电源供电

产品应用

●透雾、霾、烟尘等测距

●近红外激光告警

●远距离激光测距

●远距离空间激光通信