美国 EOT 高速光电探测器(InGaAs/Si/GaAs) 830/1300/2000nm

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筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品EOT 的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的 PIN 光电二极管和允许测量<1 mW 输入功率的固定增益跨阻放大器。当端接到示波器的 50 Ω 电阻时，可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时，可以测量激光器的频率响应。 EOT 的放大光电探测器带有自己的墙上插入式电源将同轴电缆插入光电探测器的 SMA 或 BNC 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 即可运行。特征内置跨阻放大器,占地面积小,外墙插电电源,带宽高达 10 GHz选项,探测器材质,活动区,提供光纤耦合或自由空间选项应用,监测高重复率、外部调制的连续激光器,查看<1 mW 的激光功率

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操作	名称	描述	带宽(Hz)
E80040619	硅 Silicon ET-2030 高速硅光电探测器＞１.２ＧＨｚ美国EOT [PDF]	材料：Silicon 上升／下降时间：＜３０ｐｓ／＜３００ｐｓ；响应度：０.４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；带宽：＞１.２ＧＨｚ；有效面积直径：０.４ｍｍ；输出连接：BNC	>1.2 GHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单
E80040618	硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT [PDF]	材料：Silicon硅上升／下降时间：＜５０pｓ／＜５００ｐｓ；转换增益：450 V/W ＠830 nm 带宽：30 kHz to 1.2 GHz 有效面积直径：４００ｕｍ；输出连接：ＢＮＣ	30 kHz-１.2 GHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单
E80040617	硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器＞25MＨz 美国EOT [PDF]	材料：Silicon 上升／下降时间：＜３０nｓ／＜３０nｓ；响应度：０.６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；带宽：＞２５ＭＨｚ；有效面积直径：４.５７ｍｍ；输出连接：BNC	>25 MHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单
E80040616	硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 >1.1 GHz 美国EOT [PDF]	材料：Silicon 上升／下降时间：＜３２ｐｓ／＜３２０ｐｓ；响应度：０．４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；带宽：＞１．１ＧＨｚ；有效面积直径：０．４ｍｍ；输出连接：BNC；工作温度：-20 - 50℃；	>1.1 GHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单
E80040615	硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT [PDF]	材料：Silicon；上升／下降时间：＜3ns／＜3ns；响应度：0.56A／Ｗ＠830ｎｍ；带宽：＞118MHz；有效面积直径：2.55ｍｍ；输出连接：BNC	118 MHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单
E80040602	铟镓砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz 美国EOT [PDF]	材料：铟镓砷上升／下降时间：＜17ps / ＜175ps；响应度： 0.9A/ W@1300nm；带宽：＞２ＧＨｚ；有效面积直径：100um；输出连接：BNC；	>2 GHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单
E80040613	铟镓砷 InGaAs 放大光电探测器 ET-3000A 美国EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜４０pｓ／＜４００ｐｓ；转换增益：900 V/W ＠1300 nm 带宽：30 kHz to １.５GHz 有效面积直径：１００ｕｍ；输出连接：ＢＮＣ	30 kHz-１.５GHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单
E80040601	铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 >2 GHz 美国EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜１７pｓ／＜１７５ｐｓ；响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；带宽：＞２ＧＨｚ；有效面积直径：１００ｕｍ；输出连接：BNC	>2 GHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单
E80040614	铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500, >15 GHz 美国EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；带宽：＞１５ＧＨｚ；有效面积直径：３２ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接不适用	＞15 GHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单
E80040608	铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500F, >15 GHz 美国EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；响应度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；带宽：＞１５ＧＨｚ；有效面积直径：３２ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接 FC/UPC；SMF28e	＞15 GHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单
E80040607	铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600, >22 GHz 美国EOT [PDF]	材料：InGaAs；上升／下降时间：＜16ps ／＜16ps；响应度：0.7A／Ｗ＠1300ｎｍ；带宽：＞22ＧＨｚ；有效面积直径：20ｕｍ；输出连接：SMA ；光纤连接不适用	>22 GHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单
E80040606	铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600F, >22 GHz 美国EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ；响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；带宽：＞22ＧＨｚ；有效面积直径：20ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接 FC/UPC、SMF28e	>22 GHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单
E80040620	砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, >12.5 GHz 美国EOT [PDF]	材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；响应度：０.５３Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；带宽：＞１２．５ＧＨｚ；有效面积直径：６０ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接c 不适用	＞12.5 GHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单
E80040605	砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz 美国EOT [PDF]	材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；响应度：０.３８Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；带宽：＞１２．５ＧＨｚ；有效面积直径：６０ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接 FC/UPC、SMF28e	＞12.5 GHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单
E80040604	铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美国EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；响应度：１．３Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ；带宽：＞１０ＧＨｚ；有效面积直径：４０ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接；不适用	＞10 GHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单
E80040603	铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz 美国EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；响应度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ；带宽：＞１０ＧＨｚ；有效面积直径：４０ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接；FC/UPC	＞10 GHz	价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服	请联系客服 > 或提交询价单

名称	货号货期	描述	参数	价格
硅 Silicon ET-2030 高速硅光电探测器＞１.２ＧＨｚ美国EOT [PDF]	E80040619	材料：Silicon 上升／下降时间：＜３０ｐｓ／＜３００ｐｓ；响应度：０.４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；带宽：＞１.２ＧＨｚ；有效面积直径：０.４ｍｍ；输出连接：BNC	带宽(Hz): >1.2 GHz	联系客服或提交询价单
硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT [PDF]	E80040618	材料：Silicon硅上升／下降时间：＜５０pｓ／＜５００ｐｓ；转换增益：450 V/W ＠830 nm 带宽：30 kHz to 1.2 GHz 有效面积直径：４００ｕｍ；输出连接：ＢＮＣ	带宽(Hz): 30 kHz-１.2 GHz	联系客服或提交询价单
硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器＞25MＨz 美国EOT [PDF]	E80040617	材料：Silicon 上升／下降时间：＜３０nｓ／＜３０nｓ；响应度：０.６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；带宽：＞２５ＭＨｚ；有效面积直径：４.５７ｍｍ；输出连接：BNC	带宽(Hz): >25 MHz	联系客服或提交询价单
硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 >1.1 GHz 美国EOT [PDF]	E80040616	材料：Silicon 上升／下降时间：＜３２ｐｓ／＜３２０ｐｓ；响应度：０．４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；带宽：＞１．１ＧＨｚ；有效面积直径：０．４ｍｍ；输出连接：BNC；工作温度：-20 - 50℃；	带宽(Hz): >1.1 GHz	联系客服或提交询价单
硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT [PDF]	E80040615	材料：Silicon；上升／下降时间：＜3ns／＜3ns；响应度：0.56A／Ｗ＠830ｎｍ；带宽：＞118MHz；有效面积直径：2.55ｍｍ；输出连接：BNC	带宽(Hz): 118 MHz	联系客服或提交询价单
铟镓砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz 美国EOT [PDF]	E80040602	材料：铟镓砷上升／下降时间：＜17ps / ＜175ps；响应度： 0.9A/ W@1300nm；带宽：＞２ＧＨｚ；有效面积直径：100um；输出连接：BNC；	带宽(Hz): >2 GHz	联系客服或提交询价单
铟镓砷 InGaAs 放大光电探测器 ET-3000A 美国EOT [PDF]	E80040613	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜４０pｓ／＜４００ｐｓ；转换增益：900 V/W ＠1300 nm 带宽：30 kHz to １.５GHz 有效面积直径：１００ｕｍ；输出连接：ＢＮＣ	带宽(Hz): 30 kHz-１.５GHz	联系客服或提交询价单
铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 >2 GHz 美国EOT [PDF]	E80040601	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜１７pｓ／＜１７５ｐｓ；响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；带宽：＞２ＧＨｚ；有效面积直径：１００ｕｍ；输出连接：BNC	带宽(Hz): >2 GHz	联系客服或提交询价单
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500, >15 GHz 美国EOT [PDF]	E80040614	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；带宽：＞１５ＧＨｚ；有效面积直径：３２ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接不适用	带宽(Hz): ＞15 GHz	联系客服或提交询价单
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500F, >15 GHz 美国EOT [PDF]	E80040608	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；响应度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；带宽：＞１５ＧＨｚ；有效面积直径：３２ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接 FC/UPC；SMF28e	带宽(Hz): ＞15 GHz	联系客服或提交询价单
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600, >22 GHz 美国EOT [PDF]	E80040607	材料：InGaAs；上升／下降时间：＜16ps ／＜16ps；响应度：0.7A／Ｗ＠1300ｎｍ；带宽：＞22ＧＨｚ；有效面积直径：20ｕｍ；输出连接：SMA ；光纤连接不适用	带宽(Hz): >22 GHz	联系客服或提交询价单
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600F, >22 GHz 美国EOT [PDF]	E80040606	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ；响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；带宽：＞22ＧＨｚ；有效面积直径：20ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接 FC/UPC、SMF28e	带宽(Hz): >22 GHz	联系客服或提交询价单
砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, >12.5 GHz 美国EOT [PDF]	E80040620	材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；响应度：０.５３Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；带宽：＞１２．５ＧＨｚ；有效面积直径：６０ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接c 不适用	带宽(Hz): ＞12.5 GHz	联系客服或提交询价单
砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz 美国EOT [PDF]	E80040605	材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；响应度：０.３８Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；带宽：＞１２．５ＧＨｚ；有效面积直径：６０ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接 FC/UPC、SMF28e	带宽(Hz): ＞12.5 GHz	联系客服或提交询价单
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美国EOT [PDF]	E80040604	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；响应度：１．３Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ；带宽：＞１０ＧＨｚ；有效面积直径：４０ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接；不适用	带宽(Hz): ＞10 GHz	联系客服或提交询价单
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz 美国EOT [PDF]	E80040603	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；响应度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ；带宽：＞１０ＧＨｚ；有效面积直径：４０ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接；FC/UPC	带宽(Hz): ＞10 GHz	联系客服或提交询价单

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EOT 的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的 PIN 光电二极管和允许测量<1 mW 输入功率的固定增益跨阻放大器。当端接到示波器的 50 Ω 电阻时，可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时，可以测量激光器的频率响应。

EOT 的放大光电探测器带有自己的墙上插入式电源将同轴电缆插入光电探测器的 SMA 或 BNC 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 即可运行。

特征内置跨阻放大器,占地面积小,外墙插电电源,带宽高达 10 GHz

选项,探测器材质,活动区,提供光纤耦合或自由空间选项

应用,监测高重复率、外部调制的连续激光器,查看<1 mW 的激光功率

美国 EOT 高速光电探测器(InGaAs/Si/GaAs) 830/1300/2000nm

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