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波长

λ_R

1530-1570nm

阈值电流

I_TH

2

mA

输出功率

P_opt

0.3

0.5

0.7

mW

阈值电压

U_TH

1.8

V

工作电流

I_OP

15

mA

Popt =   0.5mW

工作电压

U_OP

3

V

Popt =   0.5 mW

电光转换效率

η_WP

12

%

Popt =   0.5 mW

斜率效率

η_S

0.3

W/A

上升／下降时间

T_r /T_f

90/120

Psec

差分串联电阻

R_S

100

200

Ω

Popt =   0.5 mW

3dB调制带宽

ν@3dB

0.10

GHz

Popt =   0.5 mW

Due to   ESD protection diode

相对强度噪声

RIN

-130

-120

dB/Hz

Popt =   0.3 mW @ 1 GHz

波长调谐电流系数

0.6

nm/mA

波长调谐温度系数

0.06

nm/K

热敏电阻(VCSEL 芯片)

R_thermal

3

5

K/mW

SMSR

35

dB

I  =   2 mA

光束发散角

θ

10

25

°

P_opt =   0.5mW, full   width 1/e²

线宽

100

MHz

Popt =   0.5 mW

Tec 电流

mA

-150(Heating)

+300(Cooling)

Proper Heart Sink   Required

NTC 热敏电阻

KΩ

9.5

10.0

10.5

T=25℃@10 KΩ

NTC 热敏电阻

KΩ

10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)}

存储温度

 ℃

-40

25

125

芯片温度

℃

+10

25

40

工作电流

mA

0

3.0

15.0

正向电压

V

0.8

1.2

1.8

TEC 电流

mA

-150

-

+300

焊接温度*

℃

100

130

260

功耗

mw

-

-

5

2

Thermistor

6

Thermistor

3

N/C

7

PD Monitor Cathode (+)

4

VCSEL Cathode (–)/PD Monitor Anode (-)

8

VCSEL Anode (+)