close[X]
您的购物车
型号 数量 货期
查看购物车 结算

激光器增益芯片 780-1330nm  

激光器增益芯片 780-1330nm
增益芯片是用作外腔半导体激光器或可调谐二极管激光器增益介质的半导体元件。增益芯片被用作TLS(可调谐光源),它可以使用波长选择滤波器(如衍射光栅)来改变振荡波长。增益芯片类似于激光二极管芯片,不同的是它在一个或两个端面上都有较深的抗反射涂层,大大提高或消除了自激阈值。


联系客服
 西北华中华东华南 Daisy
18602170419 同微信 可扫码  info@microphotons.com
 华北西南东北 Moli
13061644116 同微信 可扫码  info@microphotons.com
产品型号 21
货号 操作 名称
GCA1310060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1310nm; 中心波长:1310nm; 调谐范围:60nm; 最大输出功率:220mW; 正向电流:800mA; 慢轴光束发散角:5deg; 快轴光束发散角:38deg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
GCA1110070TC300MXXXX-A型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1120nm; 中心波长:1105nm; 调谐范围:70nm; 最大输出功率:350mW; 正向电流:600mA; 慢轴光束发散角:4deg; 快轴光束发散角:35deg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
GCA1160090TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1160nm; 中心波长:1150nm; 调谐范围:90nm; 最大输出功率:230mW; 正向电流:600mA; 慢轴光束发散角:5deg; 快轴光束发散角:42deg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
GCA1180080TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1190nm; 中心波长:1180nm; 调谐范围:80nm; 最大输出功率:220mW; 正向电流:600mA; 慢轴光束发散角:4deg; 快轴光束发散角:37deg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
GCA1260060TC120MXXXX-A型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1260nm; 中心波长:1260nm; 调谐范围:60nm; 最大输出功率:120mW; 正向电流:400mA; 慢轴光束发散角:5deg; 快轴光束发散角:38deg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
GCA1270060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1270nm; 中心波长:1270nm; 调谐范围:60nm; 最大输出功率:200mW; 正向电流:800mA; 慢轴光束发散角:6deg; 快轴光束发散角:33deg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
GCA1270140TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1310nm; 中心波长:1270nm; 调谐范围:140nm; 最大输出功率:220mW; 正向电流:800mA; 慢轴光束发散角:5deg; 快轴光束发散角:38deg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
GCA1330060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1340nm; 中心波长:1330nm; 调谐范围:60nm; 最大输出功率:210mW; 正向电流:800mA; 慢轴光束发散角:5deg; 快轴光束发散角:38deg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
GCB0780030TC030MXXXX-B型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):780nm; 中心波长:775nm; 调谐范围:30nm; 最大输出功率:33mW; 正向电流:150mA; 慢轴光束发散角:7.5deg; 快轴光束发散角:22deg;    价格 : 请联系客服 库存/货期:请咨询客服
GCB0920090TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):920nm; 中心波长:905nm; 调谐范围:90nm; 最大输出功率:200mW; 正向电流:400mA; 慢轴光束发散角:8.5deg; 快轴光束发散角:36deg;    价格 : 请联系客服 库存/货期:请咨询客服
GCB0950110TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):980nm; 中心波长:950nm; 调谐范围:110nm; 最大输出功率:200mW; 正向电流:400mA; 慢轴光束发散角:5.5deg; 快轴光束发散角:31deg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
GCB1030150TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1060nm; 中心波长:1025nm; 调谐范围:150nm; 最大输出功率:200mW; 正向电流:400mA; 慢轴光束发散角:9.5deg; 快轴光束发散角:38deg;    价格 : 请联系客服 库存/货期:请咨询客服
GCB1030160TC100MXXXX-B型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1060nm; 中心波长:1030nm; 调谐范围:160nm; 最大输出功率:110mW; 正向电流:200mA; 慢轴光束发散角:8deg; 快轴光束发散角:18deg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
GCB1060150TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1090nm; 中心波长:1060nm; 调谐范围:150nm; 最大输出功率:210mW; 正向电流:400mA; 慢轴光束发散角:8deg; 快轴光束发散角:17deg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
GCB1105130TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1130nm; 中心波长:1105nm; 调谐范围:130nm; 最大输出功率:200mW; 正向电流:400mA; 慢轴光束发散角:9deg; 快轴光束发散角:38deg;    价格 : 请联系客服 库存/货期:请咨询客服
GCB1180100TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1190nm; 中心波长:1170nm; 调谐范围:100nm; 最大输出功率:210mW; 正向电流:600mA; 慢轴光束发散角:6deg; 快轴光束发散角:37deg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
GCB1220110TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1240nm; 中心波长:1215nm; 调谐范围:110nm; 最大输出功率:230mW; 正向电流:800mA; 慢轴光束发散角:6deg; 快轴光束发散角:32deg;    价格 : 请联系客服 库存/货期:请咨询客服
GCB1260060TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1270nm; 中心波长:1260nm; 调谐范围:60nm; 最大输出功率:210mW; 正向电流:800mA; 慢轴光束发散角:7deg; 快轴光束发散角:38deg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
GCB1270130TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1320nm; 中心波长:1270nm; 调谐范围:130nm; 最大输出功率:200mW; 正向电流:800mA; 慢轴光束发散角:6deg; 快轴光束发散角:38eg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
GCB1300060TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1320nm; 中心波长:1300nm; 调谐范围:60nm; 最大输出功率:200mW; 正向电流:800mA; 慢轴光束发散角:6deg; 快轴光束发散角:38deg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
GCB1330070TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装)   [PDF] 波长(最大功率处):1340nm; 中心波长:1325nm; 调谐范围:70nm; 最大输出功率:200mW; 正向电流:800mA; 慢轴光束发散角:7deg; 快轴光束发散角:37deg;    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
总览

增益芯片是用作外腔半导体激光器或可调谐二极管激光器增益介质的半导体元件。增益芯片被用作TLS(可调谐光源),它可以使用波长选择滤波器(如衍射光栅)来改变振荡波长。增益芯片类似于激光二极管芯片,不同的是它在一个或两个端面上都有较深的抗反射涂层,大大提高或消除了自激阈值。


通用参数

使用衍射光栅的外腔激光器有两种:Littrow型和Littman/Metcalf型。Littrow型衍射光栅的初级衍射光直接反馈到半导体激光器中,通过与垂直端面的低反射膜(LR)共振来实现振荡。由于衍射只进行一次,因此获得比Littman型更大的光学输出。


通过旋转光栅来扫描波长。一般来说,采用腔内消色差透镜对光栅上较大面积的扩展光束进行准直。零级衍射光束可以作为输出激光束。Innvolume 增益芯片的产品线可细分为两大类:

•单面光接入(类型A和B)

•双面光接入(类型C和D)


在输出功率从外腔向外耦合的方案中,单边光纤接入增益芯片是理想的工作元件。通常,它们的封装形式是晶体管外形罐。双边光纤接入增益芯片可用于从增益芯片端面进行功率输出耦合以减少光损耗的方案中,或用于光放大方案中。


A型增益芯片具有垂直于端面的直条纹,具有高反射和抗反射涂层。这是构造外腔二极管激光器很有性价比的解决方案。A型增益芯片具有对称的光束远场,使用高数值孔径的非球面透镜,提供与外腔和后腔的有效耦合。与其他类型相比,这种类型的增益芯片具有相对较低的增益谱纹波抑制,这是由于抗反射涂层的反射率在0.1%的水平上,并且可以通过弯曲条纹到端面的设计来进一步降低反射率。


B型增益芯片具有弯曲条纹,正常侧为高反射率,倾斜侧为深反射率涂层。弯曲的条纹和抗反射涂层提供极低的反射率(< 10E-5),允许抑制自激光和Min. 化增益起伏。弯曲条纹的缺点是输出光束的畸变,这使准直变得困难,并降低了反向耦合的效率。故必须使用高数值孔径的光学器件。


C型增益芯片在倾斜侧有弯曲条纹和抗反射涂层,在正常侧有百分之几的反射率。波长选择反馈必须设置在倾斜侧(与B型的优点和缺点相同),而输出功率则从正常侧进行输出。这种设计使得输出功率高,输出光束较好。带正常条纹的端面反射必须根据系统配置和所需输出功率分别进行设计。


D型增益芯片有一个倾斜条纹,两侧均有抗反射涂层,通常适用于需要内置放大单元的先进光学方案。创新的刻面涂层技术,包括刻面钝化,满足高可靠性要求。符合ISO9001:2008的生产标准,是基于精心设计制造和广泛测试的结果。每个设备都经过单独测试,并附带一组测试数据。





尺寸图




QQ图片20220713090600.png



 

 

 


 














使用本网站,即表示您同意我们使用cookie.它可以帮助更好地提供会员服务以及短时间内记录您的浏览记录
已知晓 了解详情
提示