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2.5-10G GaAs PIN PD Chip  

2.5-10G GaAs PIN PD Chip
它是一种采用背面入射结构、以GaAs为基底材料的PIN型光电探测器裸芯片或TO-CAN同轴封装元件。其光敏面针对850nm波长优化,具备0.5-0.65 A/W的高响应度、< 0.5 pF的低结电容和> 7 GHz的3dB带宽,暗电流极低(< 1 nA)。它主要设计用于多模光纤通信系统,是构建2.5G/10G SFP/SFP+ 等光收发模块的核心部件,在数据中心和企业网中得到广泛应用。


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产品型号 2
货号 操作 名称
850nm 10Gbps GaAs PD Chip φ60um   [PDF] 响应范围:850nm;响应度:0.6A/W;暗电流:0.08nA;电容:0.14pF;带宽:12GHz;有效区直径:60um    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
850nm 2.5Gbps GaAs PIN PD Chip φ75um   [PDF] 响应范围:850nm;响应度:0.6A/W;暗电流:0.05nA;电容:0.3pF;带宽:6.0GHz;有效区直径:75um    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
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它是一种采用背面入射结构、以GaAs为基底材料的PIN型光电探测器裸芯片或TO-CAN同轴封装元件。其光敏面针对850nm波长优化,具备0.5-0.65 A/W的高响应度、< 0.5 pF的低结电容和> 7 GHz的3dB带宽,暗电流极低(< 1 nA)。它主要设计用于多模光纤通信系统,是构建2.5G/10G SFP/SFP+ 等光收发模块的核心部件,在数据中心和企业网中得到广泛应用。











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