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850nm 10GHz 铌酸锂强度调制器  

850nm 10GHz 铌酸锂强度调制器
一个850nm 10GHz 铌酸锂强度调制器,通常指的是一个基于马赫-曾德尔干涉仪原理的器件。其最关键的技术分水岭在于它是采用传统的体铌酸锂技术还是先进的薄膜铌酸锂技术。后者在带宽、驱动电压和尺寸上具有压倒性优势,正逐渐成为高速、高性能应用的新标准。在选型时,除了核心的光电性能,其光纤耦合形式和K型射频连接器也是确保系统能在10GHz下稳定工作的关键。


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产品型号 1
货号 操作 名称
850nm 10GHz 铌酸锂强度调制器   [PDF] 工作波长:780~890nm;插入损耗:≤4.5dB;最大输入光功率:10mW;光回波损耗:≤-55dB    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
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一个850nm 10GHz 铌酸锂强度调制器,通常指的是一个基于马赫-曾德尔干涉仪原理的器件。其最关键的技术分水岭在于它是采用传统的体铌酸锂技术还是先进的薄膜铌酸锂技术。后者在带宽、驱动电压和尺寸上具有压倒性优势,正逐渐成为高速、高性能应用的新标准。在选型时,除了核心的光电性能,其光纤耦合形式和K型射频连接器也是确保系统能在10GHz下稳定工作的关键。










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