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40-400Gbps GaAs PIN Array PD Chip  

40-400Gbps GaAs PIN Array PD Chip
它是一种在单一GaAs衬底上集成了4个或8个独立PIN光电二极管的背面入射、带集成微透镜的裸芯片或陶瓷平面封装元件。每个通道的光敏面针对850nm波长优化,单通道带宽支持50Gbps PAM4 调制,具有>0.5 A/W的高响应度、极低的通道间串扰和优秀的线性度。其电极采用高频兼容设计(如GSG共面波导),以支持数十GHz的电信号传输。该芯片是构建400G/800G并行光模块和CPO光引擎接收端的核心,专为下一代数据中心和高性能计算的高速互联而设计。


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产品型号 4
货号 操作 名称
850nm 10Gbps GaAs 1x4 Array PD Chip φ60um   [PDF] 响应范围:850nm;响应度:0.6A/W;暗电流:0.08nA;电容:0.14pF;带宽:12GHz;有效区直径:60um    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
850nm 25Gbps GaAs 1x4 Array PD Chip φ40um   [PDF] 响应范围:850nm;响应度:0.6A/W;暗电流:0.01nA;电容:0.085pF;带宽:22GHz;有效区直径:40um    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
850nm 28Gbaud GaAs 1x4 Array PD Chip φ38um   [PDF] 响应范围:850nm;响应度:0.6A/W;暗电流:0.01nA;电容:0.07pF;带宽:28GHz;有效区直径:38um    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
850-910nm 56Gbaud 1x4 Array PD Chip φ32um   [PDF] 响应范围:850nm;响应度:0.6A/W;暗电流:0.01nA;电容:0.05pF;带宽:32GHz;有效区直径:32um    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
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它是一种在单一GaAs衬底上集成了4个或8个独立PIN光电二极管的背面入射、带集成微透镜的裸芯片或陶瓷平面封装元件。每个通道的光敏面针对850nm波长优化,单通道带宽支持50Gbps PAM4 调制,具有>0.5 A/W的高响应度、极低的通道间串扰和优秀的线性度。其电极采用高频兼容设计(如GSG共面波导),以支持数十GHz的电信号传输。该芯片是构建400G/800G并行光模块和CPO光引擎接收端的核心,专为下一代数据中心和高性能计算的高速互联而设计。











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