垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, VCSEL）是一种以砷化镓半导体材料为基础研制的半导体激光器，其激光垂直于顶面发射，与发光二极管（LED）和激光二极管（LD）存在本质区别；它由反射镜面、有源层及金属接触层构成，其中两个发射镜分别为 P 型和 N 型布拉格反射器（DBR），有源区由量子阱组成，在 P 型 DBR 的外表面制备金属接触层以形成欧姆接触，并在 P 型 DBR 上开设圆形出光口用于激光输出；该激光器具有远场发散角小、光束窄且呈圆形，阈值电流低、调制频率高（可达 300kHz），以及通过改变激光电流和温度可实现波长调谐等特性，其封装内部集成了热电制冷器（TEC）和光电探测器（PD），专为高速光纤应用场景设计。