我们的铟镓砷探测器,感光范围覆盖800~2600nm,常用于近中红外测量;放大型探测器8档可调增益,定量化光电转换;动态范围宽,适用于各种红外光电开发场景,应用广泛;性能优秀,高性价比,quan方位技术支持;提供非标定制服务。
● 铟镓砷探测器,感光范围覆盖800~2600nm,常用于
● 近中红外测量;
● 放大型探测器,8档可调增益,定量化光电转换;
● 动态范围宽,适用于各种红外光电开发场景,应用广泛;
● 性能优秀,高性价比,quan方位技术支持;
● 监控调Q激光器的输出
● 监控锁模激光器的输出
参数信息:
产品型号 | InGaAs-0.8/2.2um-1x1mm-AG8 | InGaAs-0.8/2.2um-2x2mm-AG8 | InGaAs-0.8/2.6um-1x1mm-AG8 | InGaAs-0.8/2.6um-2x2mm-AG8 | ||||
感光范围 | 800~2200nm | 800~2600nm | ||||||
响应时间常数 | 35ns | 200ns | 25ns | 233ns | ||||
增益GAIN | Hi-Z负载:1 .51kV/A~4.75 MV/A;50Ω负载:0 .75kV/A~2.38 MV/A | |||||||
信号幅值 | Hi-Z负载:0~10V;50Ω负载:0~5V | |||||||
增益调节方式 | 旋转档位式调节 ,0~70dB ,每10dB一档 ,共8档 。带宽与增益成反比。 | |||||||
NEP | 1.0X10-13(W/Hz1/2) | 2.5X10-14(W/Hz1/2) | 1.0X10-12(W/Hz1/2) | 2.0X10-12(W/Hz1/2) | ||||
感光尺寸 | 1mm x 1mm | 2mm x 2mm | 1mm x 1mm | 2mm x 2mm | ||||
光敏面深度 | 0.13" (3.3 mm) | |||||||
探测器净重 | 0.10kg | |||||||
工作温度 | 10~40℃ | |||||||
存储温度 | -20~70℃ | |||||||
外观尺寸 | 2.79" X 2.07"x 0.89" (70.9 mm x 52.5 mm x 22.5 mm) | |||||||
供电接口 | 供电开关 | 信号接口 | 增益调节 | 支杆接口 | 光学接口 | |||
LUMBERG RSMV3 FEMALE | 滑动开关 带LED指示灯 | BNC母座 | 8档旋钮 | M4 x 2 | SM1 x 1 SM0.5 x 1 |
八档定量可调增益参数:
0dB | 10dB | 20dB | 30dB | ||||
增益(Hi-Z) | 1.51X103V/A | 增益(Hi-Z) | 4.75X103V/A | 增益(Hi-Z) | 1.5X104V/A | 增益(Hi-Z) | 4.75X104V/A |
增益(50Ω) | 0.75X103V/A | 增益(50Ω) | 2.38X103V/A | 增益(50Ω) | 0.75X104V/A | 增益(50Ω) | 2.38X104V/A |
带宽(BW) | 13MHz | 带宽(BW) | 1.7MHz | 带宽(BW) | 1.1MHz | 带宽(BW) | 300kHz |
噪声(RMS) | ≤250μV | 噪声(RMS) | ≤250μV | 噪声(RMS) | ≤250μV | 噪声(RMS) | ≤250μV |
40dB | 50dB | 60dB | 70dB | ||||
增益(Hi-Z) | 1.51X105V/A | 增益(Hi-Z) | 4.75X105V/A | 增益(Hi-Z) | 1.5X106V/A | 增益(Hi-Z) | 4.75X106V/A |
增益(50Ω) | 0.75X105V/A | 增益(50Ω) | 2.38X105V/A | 增益(50Ω) | 0.75X106V/A | 增益(50Ω) | 2.38X106V/A |
带宽(BW) | 90kHz | 带宽(BW) | 28kHz | 带宽(BW) | 9kHz | 带宽(BW) | 3kHz |
噪声(RMS) | ≤250μV | 噪声(RMS) | ≤250μV | 噪声(RMS) | ≤300μV | 噪声(RMS) | ≤400μV |
信号偏置 | ±8mV(Typ.) , ±12mV(Max) |
响应曲线:
产品尺寸:
产品配置
型号 | 感光范围 | 感光尺寸 | 增益范围 | 特性 |
InGaAs-0.8/2.2um-1x1mm-AG8 | 800~2200nm | 1mm x 1mm | 0~70dB八档定量可调增益 | 常规款 |
InGaAs-0.8/2.2um-2x2mm-AG8 | 大靶面 | |||
InGaAs-0.8/2.6um-1x1mm-AG8 | 800~2600nm | 2mm x 2mm | 延伸覆盖2.6um | |
InGaAs-0.8/2.6um-2x2mm-AG8 |