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首页/ 产品中心 / 光电探测器 / InGaAs铟镓砷光电二极管/ 铟镓砷 InGaAs 长波长型光电二极管 2.6μm

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铟镓砷 InGaAs 长波长型光电二极管 2.6μm  

铟镓砷 InGaAs 长波长型光电二极管 2.6μm
InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。


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E80040075  铟镓砷 InGaAs IN光电二极管 φ2mm   [PDF] 封装类型 TO-5 感光面积： φ2 mm 制冷方式 Non-cooled 光谱响应范围 0.9 to 2.6 μm 峰值灵敏度波长(典型值) 2.3 μm 灵敏度 (典型值) 1.3 A/W    价格 : 请联系客服 库存/货期:请咨询客服
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E80040099  铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管 φ0.3mm   [PDF] 封装类型 TO-18 感光面积： φ0.3 mm 制冷方式 Non-cooled 光谱响应范围 0.9 to 2.6 μm 峰值灵敏度波长(典型值) 2.3 μm 灵敏度 (典型值) 1.3 A/W    价格 : 请联系客服 库存/货期:请咨询客服
请联系客服 >  或提交询价单 
E80040105  铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管 φ3mm   [PDF] 封装类型 TO-5 感光面积： φ3 mm 制冷方式 Non-cooled 光谱响应范围 0.9 to 2.6 μm 峰值灵敏度波长(典型值) 2.3 μm 灵敏度 (典型值) 1.3 A/W    价格 : 请联系客服 库存/货期:请咨询客服
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InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。

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