CITLF3 硅锗 (SiGe) 低噪声低温放大器.pdf
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CITLF3 是一种硅锗 (SiGe) 低噪声低温放大器，用于射电天文学和量子物理应用。当冷却至 12K 或更低时，该放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的频率范围内实现了 4K (0.06dB) 的平均噪声温度。100 MHz 时的最低噪声温度为 2.5K。典型增益为 33dB，输入/输出回波损耗小于 -10dB。放大器是无条件稳定的。虽然放大器最适合 0.01 GHz 至 4 GHz 的频率范围，但该放大器可用于 3 MHz 至 5 GHz。 该放大器由单个正直流电源供电，最佳电压为 2.0 V。此偏置下的功耗为 27 mW。然而，在低至 5 mW 的功耗下可以接收到良好的噪声温度。低功耗非常适合以 4K 运行的多放大器阵列。 放大器为 20.7 mm x 15.9 mm x 8.7 mm，不包括连接器。输入和输出母头 SMA 连接器。
主要特点
非常低的噪声，在 10 MHz 至 4 GHz 范围内平均为 4K。
由单个正直流电源供电。
以低至 5 mW 的直流功率提供可用增益和噪声。
2 针 Winchester DC 连接器。
可选的直流偏置三通。
可选输入保护二极管。
尺寸 2.07 厘米 x 1.59 厘米 x 0.87 厘米。
性能特点@12K
射频频率 0.01 至 4.0GHz
获得
35dB±3dB
噪音温度<4K
噪声系数<0.06dB
最佳直流电源
Vd=2.0V
ID=13.6mA
12 K时的电气规格
Description | Typical | Minimum | Maximum | |
RF Frequency 射频频率 | .03-5 GHz | 0.01 GHz | 4 GHz | |
Gain | 33 dB | 33 dB ± 3 dB | ||
Noise Temperature 噪声温度 | < 4 K | 2.5 K | 4 K | |
IRL (-20log|S11|) | -12 dB | < -10 dB | ||
ORL (-20log|S22|) | -15 dB | < -10 dB | ||
DC Voltage 直流电压 | 2.0 V | 1.2 V | 3 V | |
DC Current | 13.6 mA | 2.7 mA | 27.4 mA | |
300 K时的电气规格
Description | Typical | Minimum | Maximum | |
RF Frequency | .03-5 GHz | 0.01 GHz | 4 GHz | |
Gain | 30 dB | 30 dB ± 5 dB | ||
Noise Temperature | < 60K | 40 K | 74 K | |
IRL (-20log|S11|) | -10 dB | < -10 dB | ||
ORL (-20log|S22|) | -15 dB | < -10 dB | ||
DC Voltage | 2.0 V | 1.2 V | 3 V | |
DC Current | 14.6 mA | 5.4 mA | 27 mA | |
典型测试结果–12 K时的最佳直流偏压
典型测试结果–12 K时的直流偏压扫描
典型测试结果–12 K时的低频噪声
典型测试结果–12 K时的低频S参数
典型测试结果–12 K时的直流偏压扫描
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