封装尺寸:5*5*1mm 支架Ø25.4mm; 晶格结构:立方闪锌矿;密度:5.633g/cm^3; 比热:0.16j/gK;带隙(300K):2.25eV;透过率(λ=7-12um) :60%; 电阻率:109 Ohm*cm;折射率(λ=10.6um):2.7;
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碲化锌(ZnTe)晶体,是一种具有优异电光性能的II-VI族化合物半导体,自然条件下是闪锌矿(ZB)结构,室温下带隙宽度为2.3eV,其二阶非线性系数与电光系数均较大,辐射和探测THz电磁波的效率比其他电光晶体高,因此ZnTe晶体被认为是比较好的THz辐射源和探测器材料。ZnTe晶体<110>方向在 800nm附近激光脉冲作用下相位匹配*****,为ZnTe晶体作为太赫兹辐射产生和探测的常规使用方向。此外,ZnTe晶体还可以广泛应用于各种光电子器件中,如绿光发光二极管、电光探测器、太阳能电池等
·应用于THz产生、探测和光学限幅器
·晶体纯度高 99.995%-99.999%
·表面质量优
晶格结构 | 立方闪锌矿 |
密度 | 5.633g/cm3 |
比热 | 0.16j/gK |
带隙(300K) | 2.25eV |
透过率(λ=7-12um) | 60% |
电阻率 | 109 Ohm*cm |
折射率(λ=10.6um) | 2.7 |
电光系数r41(λ=10.6um) | 4.0×10-12m/V |
电阻率 | (1) Low:<103Ohm*cm (2) High:>109Ohm*cm |
封装尺寸 | 5*5*1nm Ø25.4mm |