795nm带制冷VCSEL激光二极管.pdf(?)
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795nm带致冷TO型VCSEL是一种垂直发射的MOVPE生长的砷化镓单模二极管激光器。芯片为TO封装。内置TEC，可通过激光电流和温度调谐来实现波长调谐。专为为TDLAS打造。
产品描述：
795nm带致冷TO型VCSEL是一种垂直发射的MOVPE生长的砷化镓单模二极管激光器。芯片为TO封装。内置TEC，可通过激光电流和温度调谐来实现波长调谐。专为为TDLAS打造。
特点：
芯片技术：砷化镓VCSEL
红外激光波长：795nm
辐射剖面：单模
ESD：静电保护250V
应用：
原子钟
磁力计
产品关键指标：
（热沉温度TSubmount=90℃，环境温度TAmbient=25±5℃）
参数 | 符号 | 单位 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 备注 |
阈值电流 | Ith | mA | - | - | 1 | CW |
出光功率 | POUT | mW | 0.1 | - | - | CW，IFLD=1.4mA |
斜率效率 | SE | mW/mA | - | 0.2 | - | CW，IFLD=Ith~2mA |
峰值波长 | λP | nm | - | 795 | - | CW，IFLD=1.4mA |
边模抑制比 | SMSR | dB | 20 | - | - | CW，IFLD=1.4mA |
峰值波长温度漂移系数 | ∆λP/∆TSubmount | nm/℃ | - | 0.055 | - | CW，IFLD=1.4mA，TSubmount=80~100℃ |
峰值波长电流漂移系数 | ∆λP/∆IFLD | nm/mA | - | 0.3 | - | CW，IFLD=Ith~2mA |
极限参数（TAmbient=25±5℃）
参数 | 符号 | 单位 | Min. 值 | Max. 值 |
TEC工作电流 | ITEC | A | - | 0.46 |
TEC工作电压 | VTEC | V | - | 1.85 |
光谱
激光功率测试曲线
驱动电压
封装尺寸及引脚定义（单位：mm，未注公差：±0.3）
Pin# | 功能 |
1# | Case |
2# | Rth |
3# | TEC+ |
4# | VCSEL+ |
5# | TEC- |
6# | VCSEL-/Rth |
注意事项
l 本产品工作时有激光出射，严禁激光照射人体任何部位；
l 本产品为静电敏感器件，请在静电保护区域操作使用，并确保使用时与器件直接接触的工具已经规范接地；不当的操作和使用会对产品造成**性、不可逆的损伤；
l 本产品带有光学窗口，使用及存储时请谨慎操作，避免光学窗口脏污、破损。
营业执照