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纤芯直径：200 ± 4µm； 包层直径：240 ± 4µm；数值孔径：0.22 ± 0.02；纤芯 / 包层同心度：≤ 1µm；涂层材料：铝
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抗辐射光纤旨在减轻辐射诱导衰减（RIA）的影响，并延长其在辐射环境中的使用寿命。凭借十年的研发投入与科 研合作积累，本公司提供单模和多模抗辐射光纤，适用于高辐射水平和 / 或极端温度的恶劣环境。 铝涂层光纤具有宽泛的工作温度范围，从深低温环境到 + 400°C 均可适用，且具备氢密封性，能在富氢环境中减轻氢致暗化现象。 阶跃折射率多模光纤可根据工作波长范围，提供低羟基、中羟基和高羟基含量的产品。其他类型的涂层和几何结构可根据需求定制。
优势与特性
• 200 微米纯二氧化硅纤芯 ，氟掺杂包层
• 数值孔径 0.22
• 铝涂层
• 工作温度高达+400°C
• 中羟基含量 ，针对可见光 - 红外波段运行优化
产品应用
• 等离子体诊断与监测
• 高功率传输
参数
纤芯直径（微米） | 200 ± 4 |
包层直径（微米） | 240 ± 4 |
数值孔径 | 0.22 ± 0.02 |
750-1150 纳米波段的衰减（分贝 / 千米）* | ≤ 25 |
600 纳米处的衰减（分贝 / 千米） | ≤ 30 |
500 纳米处的衰减（分贝 / 千米） | ≤ 40 |
400 纳米处的衰减（分贝 / 千米） | ≤ 70 |
纤芯 / 包层同心度（微米） | ≤ 1 |
涂层直径（微米） 1 MGy (γ 射线）、1550 nm、23°C | 300 ± 15 |
强度测试等级（千磅 / 平方英寸） | 100 |
900-1100 纳米波段的辐射诱导衰减（分贝 / 千米）** （X 射线 ，300 千戈瑞（二氧化硅），5 戈瑞 / 秒，+30°C 条件下） | ≤ 20 |
不包含 940 纳米的羟基吸收峰 ** RIA = 辐射诱导衰减（ Radiation Induced Attenuation） | |
设计参数 | |
纤芯材料 | 纯二氧化硅纤芯 |
羟基含量 | 中羟基 |
涂层材料 | 铝 |
工作温度范围 (℃) | -269 to +400 |
典型衰减光谱
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| 名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
|---|
营业执照