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1403nm MEMS VCSEL激光二极管


工作偏置电流:0-25mA;工作温度范围:-40-85°C;阈值电流:8-12mA;电阻:50Ω;边模抑制比:30-40dB;相对强度噪声:-128dB/Hz

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产品总览

垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, VCSEL)是一种以砷化镓半导体材料为基础研制的半导体激光器,其激光垂直于顶面发射,与发光二极管(LED)和激光二极管(LD)存在本质区别;它由反射镜面、有源层及金属接触层构成,其中两个发射镜分别为 P 型和 N 型布拉格反射器(DBR),有源区由量子阱组成,在 P 型 DBR 的外表面制备金属接触层以形成欧姆接触,并在 P 型 DBR 上开设圆形出光口用于激光输出;该激光器具有远场发散角小、光束窄且呈圆形,阈值电流低、调制频率高(可达 300kHz),以及通过改变激光电流和温度可实现波长调谐等特性,其封装内部集成了热电制冷器(TEC)和光电探测器(PD),专为高速光纤应用场景设计。

 

产品特点

7 引脚设计

非球面透镜帽

集成半导体制冷器(TEC),控制温度稳定性

输出功率 1.6 毫瓦

单模,可通过 C-L 波段

支持单模工作且可覆盖 C-L 波段

宽光谱调谐范围:>8 纳米

快速波长调谐(~100 KHz

 

产品应用

可调谐二极管激光吸收光谱(TDLAS)气体测量系统

人脸识别

激光雷达

数据中心、云计算

 


电光特性

条件:P=20°C,IOP=2.0mA,除非另有说明(P = 芯片背面温度,由半导体制冷器(TEC)控制)

参数

符号

单位

Min. 值

典型值

Max. 值

25°C 时的峰值光输出功率

P

1

1.6


mW

工作偏置电流

Iop

0

18

25

mA

工作温度范围

Top

-40

25

85

°C

阈值电流

Ith


8

12

mA

斜率效率(连续波,TC=25°C)

Se

0.14

0.18


mW/mA

激光器驱动电压

VCC

0

1.5

2.5

V

电阻

RS


50


Ω

中心波长(请在订单中注明所需中心波长)

Δλ

1400


1410

nm

保证调谐范围 (施加正向电压会降低峰值波长)

λ

8

10


nm

Max. 频率调谐响应

fmax

100

200

-

KHz

边模抑制比

SMSR

30

40


dB

宽度(-3dB 半高全宽),连续偏置 = IOP

σ



300

MHz

相对强度噪声

RIN



-128

dB/Hz

调谐电压

Vture

0

Test Sheet

Test Sheet

V

调谐电流

Itune

0

-

100

μA

半导体制冷器电压

VTEC


0.35

1.5

V

半导体制冷器电流

ITEC


0.05

0.6

A

实验数

我们已对垂直腔面发射激光器(VCSEL)开展了相关实验,测量了该激光器的电压、电流与波长及频率之间的关系。

 

 

光谱

 1.jpg

 

 

工作偏置电流 = 19 毫安,25℃下连续波(0-+15 伏)

2.jpg 

 

光功率 - 电流曲线(温度为 25°C 时)

 3.jpg

 

电流与波长的关系:

调谐特性

 4.jpg

我们保持电压恒定,将电流从 13 毫安调节至 25 毫安,每间隔 3 毫安测试一次。结果发现,调节电流时波长变化显著,且呈现出正向线性曲线关系。

 

不同频率下的负载变化

 

 5.png

 6.png

 

 

施加固定 5V 电压,调节频率值,得到上图。我们的调制频率很高,能够承载更多信息,且响应速度更快。

 

引脚定义

7.png 

 

垂直腔面发射激光器(VCSEL)的产生主要由三部分组成,即激光工作物质、泵浦源和光学谐振腔。泵浦源用于激发工作物质,使粒子数发生反转并产生激光。通过底部和顶部反射镜构成的谐振腔,激光在腔内发生振荡并被放大,最终从顶部反射镜输出;输出光仅集中在中间无氧化层的部分,从而形成垂直方向的激光发射,进而获得具有一定功率的稳定、连续且高质量的激光。

 

订购信息

PL-VCSEL-W□□□□-☆-A8▽

□□□□: Wavelength

0760: 760nm

0795: 794.7nm

*****

1310: 1310nm

1567: 1567nm

☆ : TEC

0: Without TEC

1: With TEC

▽: Wavelength Tolerance

1: ±0.5nm

2: ±1.5nm






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