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850nm GaAs PIN 高速光探测器芯片
产品特点
数据速率高达 2.5Gbps
φ75um 有效面积
850nm 高响应度
顶照式平面结构
应用领域
850nm AOC 接收器
1-5Gbps 光纤通道
多模光纤数据通信
短距离光纤网络
详细参数
规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 850 | 860 | nm | ||
响应度 | R | 0.55 | 0.6 | A/W | λ=850nm | |
暗电流 | ID | 0.05 | 0.3 | nA | VR=-5V | |
电容 | C | 0.3 | 0.4 | pF | VR=-2V,f=1MHz | |
带宽 | Bw | 6.0 | GHz | VR=-2V | ||
有效区直径 | D | 75 | um | |||
通道之间的中心间距(pitch) | 250*250*150 | um | L*W*H |
| 名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
|---|
