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850nm 2.5Gbps GaAs PIN PD Chip φ75um


响应范围:850nm;响应度:0.6A/W;暗电流:0.05nA;电容:0.3pF;带宽:6.0GHz;有效区直径:75um

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产品总览

850nm GaAs PIN 高速光探测器芯片

 

产品特点

数据速率高达 2.5Gbps

φ75um 有效面积

850nm 高响应度

顶照式平面结构

 

应用领域

850nm AOC 接收器

1-5Gbps 光纤通道

多模光纤数据通信

短距离光纤网络

 

详细参数

规格(Tc=25,单颗裸芯片

参数

符号

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

测试条件

响应范围

λ


850

860

nm


响应度

R

0.55

0.6


A/W

λ=850nm

暗电流

ID


0.05

0.3

nA

VR=-5V

电容

C


0.3

0.4

pF

VR=-2V,f=1MHz

带宽

Bw


6.0


GHz

VR=-2V
3dB down,RL=50Ω

有效区直径

D


75


um


通道之间的中心间距(pitch)



250*250*150


um

L*W*H



其它型号
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850nm 10Gbps GaAs PD Chip φ60um 货号无
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