Ge大光敏面锗光电二极管 800-1800nm 直径 5mm.pdf
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筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。
为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔
产品特点
小光敏面大光敏面可选 (100µm to 25mm)
800nm to 1800nm 光谱响应
高线性 > 10 dBm
可以定制透镜组合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)
封装方式可选(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)
产品应用
激光功率计
LED/LD老化诊断
光谱学
LED/LD特性
眼睛安全激光检测传感器
参数规格 | |
探测材料 | Ge |
响应波长 | 800 - 1800 nm |
峰值波长 | 1550 nm (Typ.) |
响应度 | 0.85 A/W (Typ.) |
光敏面直径 | 19.6 mm2 (Ø5 mm) |
上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V) | 220 ns / 220 ns (Typ.) |
NEP, Typical (1550 nm) | 4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.) |
暗电流 (5 V) | 60 µA (Max.) |
电容(10 V) | 1800 pF (Max.) |
分流电阻 | 4000 Ohm (Typ.) |
封装形式 | TO-8 |
最大击穿打压 | 10 V |
操作温度 | -55 to 60 °C |
存储温度 | -55 to 60 °C |
备注：1、典型值；RL = 50 Ω，除非另有说明
2、NEP指Ding在光伏模式下
光谱响应曲线
引脚定义
推荐电路
| 名称 | 型号货号 | 描述 | 参数 | 价格 |
|---|
营业执照