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Φ2mm 900-2700nm 两级TEC冷却 铟镓砷InGaAs光电二极管 TO8封装


光敏面直径:2mm;芯片尺寸:2560×2560um;电极尺寸:280×360um;光谱响应 λ:900-2700nm;冷却:2TE;封装:TO8封装

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产品总览

GESTIN-2TE-TO8系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器和两级热电冷却器(2TE)组成,采用TO封装形式。本用户手册仅介绍产品系列。

产品特点

●芯片有效直径从300μm到3000μm

●900nm至2700 nm的光谱响应

●高分流电阻,实现高灵敏度

●TEC内置


产品应用

●近红外传感/辐射测量

●LED/LD特性

●光谱学

●医学诊断学

●光谱学


通用参数

E/O特性

结构参数

Part Number

封装

冷却

光敏面直径

芯片尺寸

电极尺寸

GESTIN-2TE-TO8-0300

TO-8

2TE

Φ300μm

850×850um

140×180um

GESTIN-2TE-TO8-0500

Φ500μm

1000×1000um

140×180um

GESTIN-2TE-TO8-1000

Φ1000μm

1410×1410um

140×180um

GESTIN-2TE-TO8-2000

Φ2000μm

2560×2560um

280×360um

GESTIN-2TE-TO8-3000

Φ3000μm

3560×3560um

320×480um

 

EO参数

Part Number

试验温度Tch(℃)

光谱响应 λ (nm)

暗电流 ID(μA)

Junction Capacity (结电容)C(f=1MHz,VR=0V) (pF)

VR=0.01V

VR=0.5V

GESTIN-2TE-TO8-0300

25

900-2700

0.1

0.5

50

GESTIN-2TE-TO8-0500

0.2

1

100

GESTIN-2TE-TO8-1000

1

4

300

GESTIN-2TE-TO8-2000

4

10

800

GESTIN-2TE-TO8-3000

10

40

2000

 

Part Number

峰值响应(A/W)

结阻抗Rsh(VR=10mV) MΩ

峰值检测率D*(cm·Hz1/2/W)

噪声当量Power  NEP  (W/Hz1/2)

GESTIN-2TE-TO8-0300

1.0

3500

3×1012

8.9×10-15

GESTIN-2TE-TO8-0500

1000

1.5×10-14

GESTIN-2TE-TO8-1000

300

3.0×10-14

GESTIN-2TE-TO8-2000

80

5.9×10-14

GESTIN-2TE-TO8-3000

40

8.9×10-14

 

Response Cure(响应)

 

TEC参数


操作环境

Parameter

Typ

操作温度(℃)

-45~+55

储存温度(℃)

-50~+60

 

热电冷却器的特性

探测器集成了一个两级热电冷却器(TEC),冷却表面的中心为探测器下表面的中心,冷却面积应≥6mm×6mm,其性能参数如下表所示:

性能指标

Value

Max. 热负荷功率(Qmax/W)

0.93W

允许的Max. 负载电流(ITEC-max/A)

1A

允许的Max. 负载电压(VTEC-max/V)

2V

 

温度监测模块特性

该探测器使用热敏电阻作为温度监测模块。电阻值与工作温度下的温度之间的映射如下表所示:

 

温度(℃)

电阻(kΩ)

温度(℃)

电阻(kΩ)

-65

94.270

-15

6.909

-60

69.290

-10

5.587

-55

51.500

-5

4.549

-50

38.700

0

3.729

-45

29.400

5

3.075

-40

22.560

10

2.55

-35

17.490

15

2.126

-30

13.690

20

1.782

-25

10.810

25

1.5

-20

8.608

30

1.268

 

热敏电阻值与温度的对应关系如下:


T1:试验目标温度,单位为℃;

T2:参考点温度,单位:℃,参考温度在-20~70℃范围内的典型值为10或40℃,应选择接近目标温度的参考温度。

R1:T1对应的热敏电阻阻值,单位为kΩ;

R2:T2对应的热敏电阻阻值,单位为kΩ;

B: T2对应的热敏电阻阻值,单位为kΩ;

B: 在20~70度之间,典型的B值为3019.6±60。


注意:

a) 在TEC安装过程中,请注意外部电气结构引入的新电阻。如果新电阻超过

当TEC电阻为10%时,需要重新校准I-V曲线。

b) 建议以连接电阻较小的方式打开TEC。如果需要焊接,则需要短路

接地保护,焊接温度≤250℃,焊接时间<10s;


尺寸和光纤定义





其它型号
  名称 型号货号         价格
Φ1mm 900-2700nm 两级TEC冷却 铟镓砷InGaAs光电二极管 TO8封装 E80043098
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Φ0.3mm 900-2700nm 两级TEC冷却 铟镓砷InGaAs光电二极管 TO8封装 货号无
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Φ0.5mm 900-2700nm 两级TEC冷却 铟镓砷InGaAs光电二极管 TO8封装 货号无
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Φ3mm 900-2700nm 两级TEC冷却 铟镓砷InGaAs光电二极管 TO8封装 货号无
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