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25Gbps InGaAs PD Chip φ20um


响应范围:900-1650nm;响应度:0.8-0.9A/W;暗电流:0.01-0.1nA;电容:0.07-0.09pF;带宽:22GHz;有效区直径:20um;通道之间的中心间距(pitch):750/250um

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产品总览

InGaAs PIN高速光探测器芯片


产品特点

φ20um有效面积

高响应度

GSG电极结构


产品应用

IEEE 100Gbps Ethernet

第五代通信

100G CWDM4、PSM4、LR4

光纤数据通信


1759887665482125.png

 

 

规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)

参数

符号

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

测试条件

响应范围

λ

900


1650

nm


响应度

R

0.8

0.9


A/W

λ=1310-1550nm

暗电流

ID


0.01

0.1

nA

VR=-5V

电容

C


0.07

0.09

pF

VR=-2V,f=1MHz

带宽

Bw


22


GHz

VR=-2V
3dB down,RL=50Ω

有效区直径

D


20


um


通道之间的中心间距(pitch)



750/250


um



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