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响应范围:900-1650nm;响应度:0.8-0.9A/W;暗电流:0.01-0.1nA;电容:0.06-0.10pF;带宽:25GHz;有效区直径:18um;通道之间的中心间距(pitch):250um
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InGaAs PIN高速光探测器芯片
产品特点
φ18um有效面积
高响应度
GSG电极结构
产品应用
IEEE 200Gbps Ethernet
光纤数据通信
规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
响应度 | R | 0.8 | 0.9 | A/W | λ=1310-1550nm | |
暗电流 | ID | 0.01 | 0.1 | nA | VR=-5V | |
电容 | C | 0.06 | 0.10 | pF | VR=-2V,f=1MHz | |
带宽 | Bw | 25 | GHz | VR=-2V | ||
有效区直径 | D | 18 | um | |||
通道之间的中心间距(pitch) | 250 | um |
名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
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