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响应范围:900-1650nm;响应度:0.8-0.95A/W;暗电流:0.1-0.5nA;电容:0.33-0.4pF;带宽:3.0GHz;有效区直径:55um
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InGaAs 模拟PIN高速光探测器芯片
产品特点
高线性度
φ55um有效面积
高响应度
顶照式平面结构
产品应用
有线电视传输
移动通信系统
EPON
规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
响应度 | R | 0.8 | 0.95 | A/W | λ=1310-1550nm | |
暗电流 | ID | 0.1 | 0.5 | nA | VR=-15V | |
电容 | C | 0.33 | 0.4 | pF | VR=-5V,f=1MHz | |
二阶失真 | CSO | -70 | -65 | dBc | VR=-12V | |
三阶失真 | CTB | -80 | dBc | VR=-12V | ||
带宽 | Bw | 3.0 | GHz | 3dB down,RL=50Ω | ||
有效区直径 | D | 55 | um |
名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
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