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InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片
产品特点
φ500um有效面积
高增益>30 @Vbr-1V
高响应度
顶照式平面结构
应用领域
激光雷达 (LiDAR)
测距仪
测量仪器
规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
击穿电压 | Vbr | 40 | 55 | V | ld=10uA | |
VBR温度系数 | 0.12 | V/℃ | ||||
响应 | R | 30 | A/W | VR=Vbr-1V | ||
暗电流 | ID | 60 | 200 | nA | VR=Vbr-3V | |
电容 | C | 8.0 | pF | VR=38V;f=1MHz | ||
带宽 | Bw | 1 | GHz | 3dB down,RL=50Ω | ||
有效区直径 | D | 500 | um | |||
芯片尺寸 | 700*700*180 | um | L*W*H |
名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
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