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500um InGaAs APD Chip φ500um


响应范围:900-1650nm;击穿电压:40-55V;响应:30A/W;暗电流:60nA;电容:8.0pF;带宽:1GHz

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产品总览

InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片

 

产品特点

φ500um有效面积

高增益>30 @Vbr-1V

高响应度

顶照式平面结构

 

应用领域

激光雷达 (LiDAR)

测距仪

测量仪器

 

规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)

参数

符号

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

测试条件

响应范围

λ

900


1650

nm


击穿电压

Vbr

40


55

V

ld=10uA

VBR温度系数



0.12


V/℃


响应

R

30



A/W

VR=Vbr-1V

暗电流

ID


60

200

nA

VR=Vbr-3V

电容

C


8.0


pF

VR=38V;f=1MHz

带宽

Bw


1


GHz

3dB down,RL=50Ω

有效区直径

D


500


um


芯片尺寸



700*700*180


um

L*W*H


其它型号
  名称 型号货号         价格
200um InGaAs APD Chip φ200um 货号无
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