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响应范围:900-1650nm;响应度:0.8-0.95A/W;暗电流:0.05-0.3nA;电容:0.30-0.5pF;带宽:3.0GHz;有效区直径:70um;芯片尺寸:220*220*120um
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InGaAs PIN高速光探测器芯片
产品特点
数据速率高达2.5Gbps
φ70um有效面积
高响应度
顶照式平面结构
产品应用
EPON ONU
2.5Gbps 接收器
光纤数据通信
规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
响应度 | R | 0.8 | 0.95 | A/W | λ=1310-1550nm | |
暗电流 | ID | 0.05 | 0.3 | nA | VR=-5V | |
电容 | C | 0.30 | 0.5 | pF | VR=-2V,f=1MHz | |
带宽 | Bw | 3.0 | GHz | VR=-2V | ||
有效区直径 | D | 70 | um | |||
芯片尺寸 | 220*220*120 | um | L*W*H |
名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
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