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850nm 28Gbaud GaAs PD Chip φ38um


响应范围:850nm;响应度:0.6A/W;暗电流:0.01nA;电容:0.07pF;带宽:28GHz;有效区直径:38um

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产品总览

850nm GaAs PIN 高速光探测器芯片

 

产品特点

带宽高达 28GHz/通道

φ38um 有效面积

850nm 高响应度

正面阳极/阴极焊盘 

 

应用领域

50/200Gbps PAM4

112G SR4 AOC 接收机

4×25Gbps 光纤通道

短距离光网络 

 

详细参数

1761530097923858.png


规格(Tc=25,单颗裸芯片

参数

符号

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

测试条件

响应范围

λ


850

860

nm


响应度

R

0.55

0.6


A/W

λ=850nm

暗电流

ID


0.01

0.05

nA

VR=-5V

电容

C


0.07

0.10

pF

VR=-2V,f=1MHz

带宽

Bw


28


GHz

VR=-2V
3dB down,RL=50Ω

有效区直径

D


38


um


通道之间的中心间距(pitch)



250


um



其它型号
  名称 型号货号         价格
850-910nm 56Gbaud PD Chip φ32um 货号无
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850nm 25Gbps GaAs PD Chip φ40um 货号无
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