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InGaAs线列探测器主要由1024×1规模的InGaAs 光敏芯片、读出电路（ROIC）及一级热电致冷器（TEC）组成，并采用 金属封装形式，具有高可靠、多档增益可选特点，可用于短波红外成像、 工业检测、色选等领域。
产品特点
多档增益
高灵敏度
高帧频
金属封装
应用领域
半导体检测
工业检测
高精度分选
尺寸图
详细参数：
参数：
名称 | 典型值 | |
响应光谱范围（um）*1 | 0.95±0.05-1.65±0.05 | |
像元填充率（%） | 100 | |
峰值量子效率（%） | ≥70 | |
峰值探测率（ | ≥1x1012 | |
峰值灵敏度（A/W） | ≥0.8 | |
有效像元率（%）*2 | ≥99 | |
响应不一致性（%） | ＜3 | |
读出方式 | IER、ITR、可选 | |
读出速率（MHz） | 10 | |
z高帧频（fps） | 20k | |
增益档位 | 8 | |
饱和电压（V） | 1.6 | |
转换增益（nV/e-） | 增益档位1：16000 增益档位2：8000 增益档位3：4000 增益档位4：2665 | 增益档位5：1775 增益档位6：840 增益档位7：325 增益档位8：160 |
*1焦平面温度=25℃
*2像元响应信号与平均值偏差小于一定范围内的像元百分比
机械参数
名称 | 典型值 |
长x宽x高（mm3） | 55x32.6x13 |
重量（g） | ~78 |
焦平面规模 | 1024x1 |
像元中心距（um） | 12.5 |
像元尺寸（um2） | 12.5x12.5 |
感光面积（mm2） | 12.8x0.0125 |
使用环境和功耗参数
名称 | 典型值 |
工作温度（℃） | -20~+60 |
存储温度（℃） | -40~+70 |
典型功率（W）*1 | ＜0.15 |
*1未开启TEC，环境温度=25℃，时钟频率=1MHz，VDDD=VDDA=3.3V，VBOP=2.4V，VBOUT=VREF=VNDET=2.3V
响应光谱（典型值）
窗口光学特性（典型值）
营业执照