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探测器类型：光伏型；有源区材料：外延生长 InAsSb 超晶格异质结构；制冷方式：四级热电制冷（4TE），芯片温度约 200 K；温度传感器：热敏电阻；光敏面积 A₀：1 mm × 1 mm；光学浸没：超半球透镜；封装形式：4TE-T08；接收角 φ：约 36°；
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MP-MIR-10.6-0.8 是一款采用 InAsSb（砷锑化铟）III-V族材料制造的高性能中远红外光伏探测器。 产品采用 四级热电制冷（4-stage TEC） 与 光学浸没（Optical Immersion） 技术，在无需液氮制冷条件下即可获得优异的探测性能，覆盖 2.0～15.2 μm 宽光谱范围，具有高速响应、高稳定性和高灵敏度等特点。该产品te别适用于 FTIR 光谱分析、工业气体检测、有毒气体监测以及红外分析仪器等应用。
产品特点
工作波长覆盖 2.0–15.2 μm；
InAsSb III-V族环保材料；
四级TEC制冷；
光学浸没技术；
纳秒级高速响应；
长期稳定运行
产品应用
红外气体分析仪
工业过程分析
有毒气体监测
环境监测
红外光谱系统
激光检测系统
详细参数
探测器配置
项目 | 参数 |
探测器类型 | 光伏型 |
有源区材料 | 外延生长 InAsSb 超晶格异质结构 |
制冷方式 | 四级热电制冷（4TE），芯片温度约 200 K |
温度传感器 | 热敏电阻 |
光敏面积 A₀ | 1 mm × 1 mm |
光学浸没 | 超半球透镜 |
封装形式 | 4TE-T08 |
接收角 φ | 约 36° |
窗口片 | wZnSeAR（3°楔角硒化锌，镀增透膜） |
测试条件：环境温度 Tamb = 293 K，芯片温度 Tchip = 200 K，偏压 Vb = 0 V
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 |
起始响应波长，10% | λcut-on | — | 2.0 | — | μm |
峰值响应波长 | λpeak | — | 10.6 | — | μm |
截止响应波长，10% | λcut-off | — | 15.2 | — | μm |
峰值探测率，20 kHz | D* | 6.0×10 8 | 1.1 × 109 | — | cm·Hz¹ᐟ²/W |
峰值电流响应率 | Ri | 0.052 | 0.075 | — | A/W |
时间常数 | τ | — | 0.8 | 1.4 | ns |
动态电阻 | Rd | 125 | 250 | — | Ω |
jue对Max. 额定值
参数 | 条件或说明 | 额定值 | 单位 |
环境工作温度 | 环境温度高于30°C时，可能使有源区温度升高，导致探测器性能低于标称参数 | -40 ～ 70 | °C |
储存温度 | — | -40～85 | °C |
焊接温度 | 持续时间不超过5秒 | ≤370 | °C |
储存湿度 | 不得结露 | 10～90 | % |
Max. 入射光功率密度 | 连续光或脉宽大于1 μs的单脉冲 | 2.5 | W/cm² |
Max. 入射光功率密度 | 单脉冲宽度 < 1 μs | 10 | kW/cm² |
Max. 偏置电压 | Vb max | -1.5 | V |
Max. TEC电压 | 四级热电制冷（4TE） | 8.3 | V |
Max. TEC电流 | 四级热电制冷（4TE） | 0.4 | A |
光谱响应特性图
| 名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
|---|
营业执照