极紫外光源.pdf(?)
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微信号：13061644116
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主要技术参数
| 型号 | TEUS S-200 |
| 激光平均功率 | 200W |
| 脉冲重复率 | 50kHz或135kHz（可调） |
| 可收集EUV功率的立体角 | 0.05s |
| 等离子体尺寸*um | ≤60或≤40 |
| 带内辐射转换效率（13.5nm±1%） | 2%@2π·sr或1.6%@2π·sr |
| EUV碎片缓减系统后带内通量收集角（13.5nm±1%） | 22mW或18mW |
碎片缓减系统后带内光谱亮度（13.5nm±1%）,W/mm2·sr | ≥160W/mm2·sr或≥280W/mm2·sr |
| 等离子体稳定性 | 3%RMS |
| 型号 | TEUS S-200 |
| 在24/7运行模式下，不使用特殊膜过滤器，集热器寿命下降10% | 不少于4个月 |
| 在全天候运行模式下，使用特殊膜过滤器，集热器寿命下降10% | 不少于9个月 |
| 维护间隔: | 3个月-2天 |
| 正常运行时间在全天候运行模式*** | 3个月 |
| 电功率 | 8.5 kW |
| 尺寸（L×W×H） | 1500×1000×1200 mm |
| 重量，包括激光部件 | 770 公斤 |
设备需求
| 型号 | TEUS S-200 |
| 房间清洁度等级 | ISO7 |
| 水流速率 | 10升/分钟 |
• 高亮度(意味着高吞吐量)以及出色的稳定性
• jue对Min. 碎片
• 很高的正常运行时间
• 掩膜及表面检查:
• 模板检查(PMI)
• 区域掩模检验(AIMS)
• 掩模空bai检验(MBI)
• 极紫外光学链中的极紫外扫描仪检测
• 材料科学
• 晶片光刻检验
| 名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
|---|
营业执照