一款发射波长为 282纳米 的半导体深紫外激光二极管。它代表了紫外光源技术的重大突破，将高效、紧凑、低功耗的半导体激光技术扩展到了传统上由气体激光器（如氦镉激光器）或固态倍频激光系统主导的深紫外波段。282nm波长位于UVC光谱范围内，具备不一样的物理和化学效应，是生物医学、高精度分析及先进制造的理想光源。

产品特点

封装形式：5.6 mm浮空安装

横向多模输出

光输出功率：10 mW

产品应用

生物医学与生命科学

分析化学与传感

工业与材料加工

尺寸图

参数

*尚未最终确定（开发中）  

[1] 推荐脉冲驱动条件：脉宽 50 µs，占空比 1%（200 Hz）  

[2] 峰值强度1/e²处的全角

驱动电路

图形数据  

驱动条件：脉宽 50 µs，占空比 1%（200 Hz）

附录数据

图片展示了在脉冲驱动条件（50 µs 脉宽，1% 占空比）下，自动功率控制设定为P_o = 10mW时I_op的变化情况。在初始的 2-3 小时内，可能会观察I_op出现更明显的漂移。