芯片载体封装（CoS）

芯片载体封装+无跳模（MHF）

芯片载体封装+虚拟点源（VPS）透镜

参数¹

HOT^{3
(高工作温度)}

低功率

高功率

标称波长（nm）²

794.978 ± 0.6

功率范围

10月30日

40-80

80-180

Max. 工作电流（CW&脉冲）（mA）

80

140

250

Max. 工作电流时光功率（mW）

30

80

180

标称斜率效率（W/A）

0.6

0.9

0.85

标称阈值电流（mA）

30

30

60

TO-8

C-Mount

9MM

发射光学次模块（TOSA）

存储温度

℃

0

-

70

壳体工作温度

℃

5

-

70

激光芯片工作温度¹

℃

5

-

45

激光器串联电阻

Ω

-

2

-

激光正向电压@LIV 电流

V

-

2

-

激光器线宽，典型@LIV 电流

kHz

-

500

-

光束发散角@FWHM (θ|| x θ⊥)

º

-

6x28

8 x 32

边模抑制比（SMSR）

dB

-

-40

-

偏振消光比

dB

-17

-20

-

激光器偏振态

TE

模式结构

基本模式

温度调谐速率

nm/℃

-

0.06

-

电流调谐速率

nm/mA

-

0.002

-

激光器反向电压

V

-

-

0

光电二极管正向电流

mA

-

-

10

光电二极管反向电压

V

-

-

50

TEC 电流（TOSA）

A

-1.1

-

1.1

TEC 电压（TOSA）

V

-3.0

-

3.0

TEC 电流（TO-8）

A

-1.8

-

1.8

TEC 电压（TO-8）

V

-2.2

-

2.2

热敏电阻

kΩ

-

10

-