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产品总览
852.347 nm DBR 系列高性能边发射激光二极管基于先进的单片集成单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光器提供单横模光束输出，并采用端面钝化工艺以确保可靠性。852.347 nm 系列 DBR 器件适用于铯（Cs）基原子光谱以及拉曼光谱应用。该系列产品经过光谱认证，保证在室温附近 ±10°C 范围内能够准确调谐至铯原子 D2 跃迁线。
产品特点
精准的原子跃迁锁定
先进的单片式DBR技术
优异的光束与光谱特性
灵活的功率与调制能力
应用领域
量子精密测量与原子钟
原子、分子与光学物理研究
非线性频率转换
852.347nm DBR 芯片载体封装（CoS）特性
芯片结构 | |||
参数1 | HOT3 | 低功率 | 高功率 |
(高工作温度) | |||
标称波长（nm）2 | 892.347 ± 0.6 | ||
功率范围（mW） | 10-30 | 40-80 | 80-240 |
Max. 工作电流（CW&脉冲）（mA） | 90 | 140 | 350 |
Max. 工作电流时光功率（mW） | 30 | 80 | 240 |
标称斜率效率（W/A） | 0.6 | 0.9 | 0.9 |
标称阈值电流（mA） | 40 | 30 | 50 |
1. 除非另有说明，所有特性均在外壳温度（TC）为 25°C 时测得。超出这些参数范围操作将导致保修失效。
2. 密封封装中可能包含芯片载体（CoS），其波长与标称值的偏差为 ±1.2 nm.
3. 高温（HOT）特性参数是在 65°C 条件下进行的。
可用的自由空间封装附加组件
参数
激光器
参数 | 单位 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 |
存储温度 | ℃ | 0 | - | 70 |
壳体工作温度 | ℃ | 5 | - | 70 |
激光芯片工作温度1 | ℃ | 5 | - | 45 |
激光器串联电阻 | Ω | - | 2 | - |
激光正向电压@LIV 电流 | V | - | 2 | - |
激光器线宽，典型@LIV 电流 | kHz | - | 500 | - |
光束发散角@FWHM (θ|| x θ⊥) | º | - | 6x28 | 8 x 32 |
边模抑制比（SMSR） | dB | - | -40 | - |
偏振消光比 | dB | -17 | -20 | - |
激光器偏振态 | TE | |||
模式结构 | 基本模式 | |||
温度调谐速率 | nm/℃ | - | 0.06 | - |
电流调谐速率 | nm/mA | - | 0.002 | - |
激光器反向电压 | V | - | - | 0 |
1. 若未采用密封封装，不建议在露点以下环境中工作
自由空间封装附加组件
参数 | 单位 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 |
光电二极管正向电流 | mA | - | - | 10 |
光电二极管反向电压 | V | - | - | 50 |
TEC 电流（TOSA） | A | -1.1 | - | 1.1 |
TEC 电压（TOSA） | V | -3.0 | - | 3.0 |
TEC 电流（TO-8） | A | -1.8 | - | 1.8 |
TEC 电压（TO-8） | V | -2.2 | - | 2.2 |
热敏电阻 | kΩ | - | 10 | - |
操作注意事项：
这些器件对静电放电（ESD）敏感。操作模块时，必须使用接地的工作区域和防静电腕带。存放时务必置于防静电容器中，并将所有引线短接。
恒定电流下的空气波长随温度变化特性
随电流变化的LIV特性
| 名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
|---|
营业执照