参数¹

低功率

高功率

标称波长(nm)²

785 ± 0.6

功率范围 (mW)

40–80

80–180

Max. 工作电流 (CW & Pulsed) (mA)

140

250

Max. 工作电流下的光功率 (mW)

80

180

标称斜率效率 (W/A)

0.9

0.85

标称阈值电流 (mA)

40

60

存储温度

°C

0

-

70

壳体工作温度

°C

5

-

70

激光芯片工作温度 ¹

°C

5

-

45

激光器串联电阻

Ω

-

2

-

LIV 电流下的激光器正向电压

V

-

2

-

LIV 电流下的标称激光器线宽

kHz

-

500

-

半高全宽处的光束发散角（θ|| × θ⊥）

º

-

6 x 28

8 x 32

边模抑制比（SMSR）

dB

-

-40

-

偏振消光比

dB

-17

-20

-

激光器偏振态

TE

模式结构

基础模式

温度调谐速率

nm/°C

-

0.06

-

电流调谐速率

nm/mA

-

0.002

-

激光器反向电压

V

-

-

0

光电二极管正向电流

mA

-

-

10

光电二极管反向电压

V

-

-

50

TEC电流(TOSA)

A

-1.1

-

1.1

TEC电压(TOSA)

V

-3.0

-

3.0

TEC电流 TO-8

A

-1.8

-

1.8

TEC电压 TO-8

V

-2.2

-

2.2

热敏电阻

kΩ

-

10

-