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2.5Gbps InGaAs APD Chip For OLTOTDR φ50um


响应范围:900-1650nm;击穿电压:40-50V;响应:15A/W;暗电流:0.4nA;电容:0.18pF;带宽:2.5GHz;有效区直径:50um

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产品总览

InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片

 

产品特点

数据速率高达 2.5Gbps

φ50um 有效面积

高响应度

顶照式平面结构

 

应用领域

OTDR

GPON OLT/XG-PON OLT

长途光纤网络



规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)

参数

符号

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

测试条件

响应范围

λ

900


1650

nm


击穿电压

Vbr

40


50

V

ld=10uA

VBR温度系数



0.12


V/℃


响应

R

12

15


A/W

VR=Vbr-3V

暗电流

ID


0.4

10

nA

VR=Vbr-3V

电容

C


0.18

0.3

pF

VR=38V;f=1MHz

带宽

Bw


2.5


GHz

3dB down,RL=50Ω

有效区直径

D


50


um


芯片尺寸



250*250*150


um

L*W*H


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  名称 型号货号         价格
2.5Gbps InGaAs APD Chip φ50um 货号无
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