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响应范围:900-1650nm;击穿电压:40-50V;响应:10A/W;暗电流:100nA;电容:0.10pF;带宽:8.0GHz;有效区直径:32um
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InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片
产品特点
数据速率高达10Gbps
φ32um有效面积
高响应度
顶照式平面结构
应用领域
XGS-PON OLT
10G SONET/SDH
40公里光纤网络
规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
击穿电压 | Vbr | 30 | 40 | V | ld=10uA | |
VBR温度系数 | 0.025 | V/℃ | ||||
响应 | R | 10 | A/W | VR=Vbr-3V | ||
暗电流 | ID | 100 | nA | VR=Vbr-3V | ||
电容 | C | 0.10 | 0.12 | pF | VR=30V;f=1MHz | |
带宽 | Bw | 8.0 | GHz | 3dB down,RL=50Ω | ||
有效区直径 | D | 32 | um |
名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
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