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56Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ16um (750um Pitch)


响应范围:900-1650nm;响应度:0.9A/W;暗电流:0.02nA;带宽:36GHz;有效区直径:16um

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产品总览

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

 

产品特点

数据速率高达100-400Gbps

φ16um有效面积

高响应度

GSG电极结构

 

产品应用

IEEE 400/800Gbps Ethernet

200G CWDM4、PSM4、LR4

长途光纤网络

光纤数据通信



1758593039959784.png


规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)

参数

符号

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

测试条件

响应范围

λ

900


1650

nm


响应度

R

0.8

0.9


A/W

λ=1310-1550nm

暗电流

ID


0.02

1

nA

VR=-5V

电容

C


0.05


pF

VR=-2V,f=1MHz

带宽

Bw


36


GHz

VR=-2V
3dB down,RL=50Ω

有效区直径

D


16


um


通道之间的中心间距(pitch)



750/500/250


um


 

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  名称 型号货号         价格
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