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响应范围:900-1650nm;响应度:0.9A/W;暗电流:0.02nA;带宽:36GHz;有效区直径:16um
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InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片
产品特点
数据速率高达100-400Gbps
φ16um有效面积
高响应度
GSG电极结构
产品应用
IEEE 400/800Gbps Ethernet
200G CWDM4、PSM4、LR4
长途光纤网络
光纤数据通信
规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
响应度 | R | 0.8 | 0.9 | A/W | λ=1310-1550nm | |
暗电流 | ID | 0.02 | 1 | nA | VR=-5V | |
电容 | C | 0.05 | pF | VR=-2V,f=1MHz | ||
带宽 | Bw | 36 | GHz | VR=-2V | ||
有效区直径 | D | 16 | um | |||
通道之间的中心间距(pitch) | 750/500/250 | um |
名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
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