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100Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ10um


响应范围:900-1650nm;响应度:0.7A/W;暗电流:0.1nA;带宽:60GHz;有效区直径:10um

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产品总览

InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

 

产品特点

数据速率高达 200-800Gbps

底部发光平面结构

GSG 电极结构

 

产品应用

IEEE 200/800Gbps Ethernet

200G CWDM4,PSM4,LR4



1758593582584537.png

规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)

参数

符号

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

测试条件

响应范围

λ

900


1650

nm


响应度

R


0.7


A/W

λ=1310-1550nm

暗电流

ID


0.1

1

nA

VR=-5V

电容

C


0.06


pF

VR=-2V,f=1MHz

带宽

Bw


60


GHz

VR=-2V
3dB down,RL=50Ω

有效区直径

D


10


um


通道之间的中心间距(pitch)



750/500


um



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