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InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片
产品特点
数据速率高达 200-800Gbps
底部发光平面结构
GSG 电极结构
产品应用
IEEE 200/800Gbps Ethernet
200G CWDM4,PSM4,LR4
规格(Tc=25℃,单颗裸芯片)
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
响应度 | R | 0.7 | A/W | λ=1310-1550nm | ||
暗电流 | ID | 0.1 | 1 | nA | VR=-5V | |
电容 | C | 0.06 | pF | VR=-2V,f=1MHz | ||
带宽 | Bw | 60 | GHz | VR=-2V | ||
有效区直径 | D | 10 | um | |||
通道之间的中心间距(pitch) | 750/500 | um |
名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
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